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| 黃昆 | |
|---|---|
| 出生 |
1919年9月2日 中國北京 |
| 逝世 | 2015年7月6日（95歲） |
| 國籍 | 中國 |
黃昆(1919.9.2-2005.7.6)，男，浙江嘉興人，出生於北京。世界著名物理學家、中國固體和半導體物理學奠基人之一。
1941年(中華民國三十年)畢業於燕京大學，1948年(中華民國三十七年)獲英國布里斯托爾大學博士學位，1955年當選為中國科學院院士，1957年加入九三學社。
黃昆主要從事固體物理理論、半導體物理學等方面的研究。提出了稀固溶體的X-光漫散射理論和晶體光學振動的唯象方程，並預見了晶體光學聲子和電磁場的耦合振動模式，被稱為"黃散射"和"黃方程";提出並發展了由晶格弛豫引起多聲子躍遷理論(包括光躍遷和無輻射躍遷)，被稱為"黃一佩卡爾理論";提出了有效解決半導體超晶格光學振動模型，並闡明其光學振動模式的要點，被稱為"黃一朱模型"。與玻恩合著的《晶格動力學理論》成為該學科領域的第一部權威專著和標準參考文獻。 曾先後榮獲1995年度何梁何利基金科學與技術成就獎和2001年度國家最高科學技術獎。
主要成就
科學研究
黃昆完成了兩項開拓性的學術貢獻。一項是提出著名的"黃方程"和"聲子極化激元"概念，另一項是與後來成為他妻子的里斯(A.Rhys，中文名李愛扶)共同提出的"黃-里斯理論"。 提出固體中雜質缺陷導致X射線漫散射的理論，被稱為"黃散射"，與里斯共同提出了多聲子的輻射和無輻射躍遷的量子理論;同期佩卡爾發表了相平行的理論，被國際上稱為"黃-佩卡爾理論"或"黃-里斯理論";提出了晶體中聲子與電磁波的耦合振盪模式，當時提出的方程，被稱為"黃方程";研究半導體量子阱超晶格物理。建立超晶格光學振動的理論，發表了後來被國際物理學界稱為"黃-朱模型"的理論。
黃昆和學生詳細分析了Ⅲ-Ⅴ族化合物的量子阱和超晶格的空穴帶的電子狀態，發展了一種適用於超晶格結構的簡單有效的計算方法，從而對量子阱和超晶格結構中空穴子帶的性質、價帶雜化和外加電場等對量子阱和超晶格中激子吸收的影響做了理論計算。他和學生系統研究了超晶格中的長波光學振動模式，指出流行的連續介電模型的結果是不對的，基於他在1951年提出的偶極振子晶格模型，他們提出了一個能描述迄今了解的實驗事實的理論模型，得到了在一維和二維的量子系統中縱向光學振動和橫向光學振動的類體模的正確描述。他們的這項工作對理解半導體超晶格的光學性質、光散射效應、電子和格波的相互作用起到了重要作用。
社會任職
- 曾任中國科學院半導體研究所研究員、所長、名譽所長，中國物理學會理事長等。
- 中國人民政治協商會議第五屆全國委員會常務委員會委員(1978年)，以後分別連任第六屆、第七屆、第八屆政協常委。
- 中國物理學會理事長、科學院數理學部常委，中華人民共和國第三屆全國人民代表大會代表(1964年)
- 1977年，黃昆被調到科學院半導體研究所任所長。
- 國際純粹物理和應用物理協會(IUPAP)半導體委員會委員(1985-1988年)。
人物評價
黃昆他好比現代的鳳凰涅盤，從灰燼中飛起又成為世界領頭的固體物理學家。[1]
黃昆先生是世界著名的物理學家，他對固體物理學作出了許多開拓性的重大貢獻，是中國固體物理學和半導體物理學的奠基人之一。黃昆先生一貫強調德才兼備，教書與育人相結合的教育原則，嘔心瀝血，教誨提攜，以極大精力投入為國家培養科技人才的光榮事業，認為在中國培養一支科技隊伍的重要性遠遠超過他個人在學術上的成就，堪稱中國科學界的典範。黃昆先生為我們留下的不僅是一些舉世矚目的科學成果，還有在科學研究上不斷創新、勇於探索的精神，還有嚴謹求實的治學態度和淡泊明志的高尚情操。他對祖國的赤子之情，對事業的赤子之誠，對黨的赤誠之心和高尚的情操將垂範世人，啟迪後學。[2]
黃昆先生最重要的貢獻就是創辦五校聯合半導體專門化，為國家的半導體科技事業培養了一批又一批棟樑英才，為創建和發展中國半導體科技和教育事業、從無到有地建立和發展半導體工業體系起到了開拓性作用。黃先生所倡導的自力更生、團結協作、以及多方爭取教育資源等先進的教育思想永遠值得我們學習和發揚。[3]
黃昆院士是中國科學界的典範，他嘔心瀝血，教誨提攜。他嚴謹的治學風格培育出一批英才，他對祖國的赤子之情，對事業的赤子之誠，對黨的赤誠之心和高尚的情操將繼續垂範世人，啟迪後學。[4]