秦國剛檢視原始碼討論檢視歷史

秦國剛, 中國半導體材料物理專家。1934年3月19日生於中國南京，原籍江蘇崑山。1961年北京大學物理系研究生畢業。北京大學物理學院教授。2001年當選為中國科學院院士。

長期從事半導體材料物理研究。在半導體雜質與缺陷領域研究中，最早揭示硅中存在含氫的深中心發現退火消失溫度原本不同的各輻照缺陷在含氫硅中變得基本相同發現氫能顯著影響肖特基勢壘高度。測定的硅中銅的深能級參數被國際權威性半導體數據專著採用。在多孔硅和納米硅鑲嵌氧化硅光致發光和電致發光方面的研究中，對光致發光提出量子限制－發光中心模型，得到國際廣泛支持發現p型硅襯底上氧化硅發光中心電致發光現象，在此基礎上，設計並研製出一系列硅基電致發光新結構。所提出的電致發光機制模型被廣泛引用。