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天野浩 あまの ひろし
圖片來源：天野浩研究室
出生	(1960-09-11) 1960年9月11日 日本靜岡縣濱松市
居住地	日本名古屋市
国籍	日本
母校	名古屋大學
机构	名古屋大學 名城大學
知名于	實現pn結GaN，完成世界第一個高亮度的藍色發光二極體
研究领域	電子學、工程學、半导体器件制造
奖项	诺贝尔物理学奖（2014）

圖1：2014年诺贝尔奖奖项解读图示。圖片來自 nobelprize.org 制图：果壳网

天野浩（ 日語：あまの ひろし，英語：Amano Hiroshi，1960年9月11日－），日本工程學家，美國國家工程院外籍院士，專長半导体器件制造。現任名古屋大學特別教授，榮獲文化勳章，並被表彰為文化功勞者。

2014年凭借「發明高亮度藍色發光二極體，帶來了節能明亮的白色光源」与赤崎勇、中村修二共同获得诺贝尔物理学奖。

主要成就 -- 藍色 LED

• 1985年，天野浩開發了用於在藍寶石襯底上生長III族氮化物半導體膜的低溫沉積緩衝層（AIN），從而實現了III族氮化物半導體的發光二極管 和 激光二極體。

• 1989年，天野浩在名古屋大學的赤崎勇研究室成功生成p型GaN（氮化鎵）磊晶體，首次觀測到p型材料的劇烈發光。他也在同年取得工學博士學位。1992年，天野浩跟隨赤崎勇研究室移動至名城大學，2002年升為教授，2010年回到名大擔任工學研究科教授。

• 世界最初的pn結GaN紫外光／藍色發光二極體便出現在天野浩的手上。

• 天野浩出於對研究的熱情，其研究室不論平日、假日或新年過年都在工作，半夜燈火通明的模樣，被稱為「不夜城」。

榮譽

• 1991年 電氣學會論文發表獎
• 1994年 OPTO Electronic會議特別獎
• 1996年 美國 IEEE / LEOS 工程成就獎
• 1998年 應用物理學會獎Ｃ（會誌獎）
• 1998年 British Rank Prize
• 2001年 丸文學術獎
• 2002年 武田獎
• 2003年 SSDM Award
• 2008年 日本結晶成長學會論文獎
• 2014年 諾貝爾物理學獎
• 2014年 文化勳章·文化功勞者
• 2014年 濱松市榮譽市民
• 2015年 中日文化獎
• 2015年 Asia Game Changer Award
• 2016年 美國國家工程院外籍院士

獲得諾貝爾物理學獎原因

• 2014年诺贝尔物理学奖得主的贡献是：
  • 赤崎勇：以低溫沉積氮化鋁緩衝製成高品質GaN。
  • 天野浩：實現[[pn結GaN]。
  • 中村修二：對實用級高效能藍色LED的一系列成就、貢獻（基於基於InGaN）。

視頻

【華爾街日報報導】新光源發明者獲2014諾貝爾物理學獎