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''' 电子薄膜与集成器件国家重点实验室 ''' 以 [[ 电子科技大学 ]] 为依托，于2006年7月经科技部批准建设，2008年10月通过 [[中华人民共和国科学技术部| 科技部 ]] 验收并正式开放运行。实验室紧密结合电子信息系统微小型化和单片集成的重大需求，重点围绕电子功能 [[ 材料 ]] 的薄膜化和电子器件的集成化开展基础、应用基础与工程应用的研究。2012年及2017年在科技部组织的国家重点实验室评估中被评为优秀类实验室。

实验室紧密围绕 [[ 国 家IT 家]]IT 领域的战略目标，立足于电子信息材料与器件的发展前沿，坚持需求与发展并举、理论与实践并重，致力于新型电子薄膜材料与集成电子器件的研究和开发，促进 [[ 材料 ]] ——器件——微电子技术的交叉和集成，形成了三个重点研究方向：

主要解决集成器件中电、磁信息的探测和 [[ 传输]]

（2）功率 [[ 半导体 ]] 器件及集成技术

主要解决集成系统中 [[ 能量 ]] 的输入输出

（3）电子 [[ 聚合物 ]] 与微结构传感器

实验室现有研究人员80人，管理人员4人，辅助人员2人；客座研究人员16人。在固定研究人员中已形成以 [[ 陈星弼 ]] 院士为带头人的一支以40岁左右为核心、30岁左右为主力的骨干研究队伍。队伍中包括了中科院院士1人， [[ 中国工程院院 士1 士]]1 人，国家杰出青年基金获得者3人，国家自然基金委创新团队1个，国家级奖评委5人，教育部跨（新）世纪人才10人，部级专家组成员3人， [[ 四川省 ]] 杰出创新人才奖3人，四川省学术和技术带头人6人，四川省有突出贡献专家4人，博导26人。现有研究队伍中，90%具有博士、硕士学位，50%有海外经历，45岁以下的中青年技术骨干占85%。

实验室拥有1个国家重点学科、5个博士点以及5个 [[ 硕士 ]] 点，已具备每年250名左右硕士生、40名左右博士生、20名左右博士后的人才培养规模。2002年以来，共为国家培养硕士生1300名，博士生40名，博士后10名，为改善和提高我国电子薄膜与集成器件究水平提供了人才保障。实验室共承担国家/省部级项目200余项，国拨纵向经费1.3亿元。2002年-2009年，实验室共获得国家奖7项，省部一等奖7项、二等奖14项、三等奖16项，获得发明 [[ 专利 ]] 授权80项，其中美国发明专利4项，发表论文1200余篇，其中在APL、JAP、PRB、IEEE等国外刊物上发表500余篇，发行著作7本，有40项成果被采用，直接 [[ 经济效 益5 益]]5 亿元。

实验室充分利用国家 “211 “[[211 工程 ]] ”/ “985 “[[985 工程 ]] ”建设经费、学校自筹学科建设经费等，集中资金重点建设了四个研究平台（“材料与器件制造工艺平台”、“微细加工平台”、“电磁性能测试与微结构表征平台”和“集成电路设计平台”），同时，为满足具体研究方向和研究内容的需要，实验室科研人员经过与设备厂家的深入讨论，采用部分部件改进、部分功能调整、 [[ 软件 ]] 升级等多种形式对本实验室的MOCVD系统、脉冲激光溅射沉积设备、四靶三英寸超导镀膜沉积装置、熔体快淬纤维/薄带炉、旋转式真空晶化炉、球型真空室、熔体转轮超速急冷炉、高真空磁控与离子束溅射镀膜系统、AFM等大型设备进行了改进，以上设备改进后，使用率上升，保障了实验室科研项目高 [[ 质量 ]] 的完成，有力地推动了实验室环境、科研设备等基础条件的改善，使器件 [[ 设计 ]] 、材料制备、测试和分析的实验条件达到国际先进水平。实验室拥有各种仪器设备700余台套，总价值8000余万元。 [[Category:303 科學教育及研究]]