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原圖鏈接王朋：1988年2月出生，山東省濰坊市人，華南先進光電子研究院副研究員，入選華南師範大學「青年英才」計劃

王朋，男，1988年2月出生，漢族，山東省濰坊市人。中共黨員。華南先進光電子研究院副研究員，入選華南師範大學「青年英才」計劃。

原圖鏈接華南師範大學華南先進光電子研究院。

研究經歷

原圖鏈接華南師範大學華南先進光電子研究院圓桌會議。

2013年6月在中國科學院上海微系統與信息技術研究所獲得微電子與固體電子學專業博士學位，所在科室為美國科學院院士、中國分子束外延MBE研究領域創始人李愛珍老師所建立的化合物半導體實驗室。

博士畢業後，同年8月前往美國亞利桑那州立大學分子束外延MBE實驗室開展博士後研究工作。2018年1月入選華南師範大學「青年英才」計劃，於華南先進光電子研究院任職特聘副研究員。

原圖鏈接華南師範大學：華南師範大學（South China Normal University），簡稱「「華南師大」，坐落於廣東省廣州市，是廣東省人民政府和教育部共建高校，入選國家「雙一流」世界一流學科建設高校、首批國家「211工程」重點建設大學，入選國家「111計劃」、「卓越教師培養計劃」、廣東省高水平大學整體建設高校、廣東省重點大學、中國政府獎學金來華留學生接收院校，是中國100所首批聯入CERNET和INTERNET網的高等院校之一。

研究領域：

分子束外延MBE化合物半導體納米結構材料生長及光電子器件應用研究。

博士期間主要取得以下研究成果：

1，首次採用氣態源MBE實現Ge基InAs量子點通訊波段1.31um量子點激光器室溫連續激射；

2，在稀Bi化合物半導體領域，首次成功外延生長GaAs基晶格匹配四元InGaPBi、InAlPBi單晶薄膜材料；

3，成功製備室溫連續激射GaSb基InGaAsSb量子阱2.0-2.7微米室溫連續激射激光器，並利用五元InAlGaAsSb勢壘實現InGaAsSb量子阱結構室溫3.5微米以上發光，為國內領先水平。

關於氣態源MBE製備Ge基InAs量子點激光器的工作成為2015年第17屆International Conference on Transparent Optical Networks 邀請報告。

博士後工作期間牽頭負責世界首台III-V/II-VI集成於同一生長室的MBE設備搭建，並成功使其在項目執行期內實現高質量III-V/II-VI異質結構的外延生長以及與UCSD合作完成美國國防高級研究計劃局的高靈敏度量子光電探測器項目。

代表論文

1. Maxwell B. Lassise, Peng Wang, Brian D. Tracy, Guopeng Chen, David J.Smith, Yong-Hang Zhang, Growth of II-VI/III-V heterovalent quantum structures. Journal of Vacuum Science & Technology B. 2018, 36:02D110.

2. Peng Wang, Wenwu Pan, Xiaoyan Wu, Juanjuan Liu, Chunfang Cao, Shumin Wang, and Qian Gong, Influence of GaAsBi matrixon optical and structural properties of InAs quantum dots. Nanoscale Research Letters. 2016,11:280.

3. Peng Wang, Wenwu Pan, Chunfang Cao, Xiaoyan Wu, Qian Gong and Shumin Wang, Influence of doping in InP buffer on photoluminescence behavior of InPBi. Japanese Journal of Applied Physics.2016,55:115503.

4. Peng Wang, Qimiao Chen, Xiaoyan Wu, Chunfang Cao, Shumin Wang, Qian Gong, Detailed study of the influence of InGaAs matrix on the strain reduction in the InAs dot-in-well structure. Nanoscale Research Letters. 2016, 11:119.

5. Peng Wang, Wenwu Pan, Xiaoyan, Shumin Wang, Qian Gong, Herteroepitaxy growth of GaAsBi on Ge (100) substrate by gas source molecular beam epitaxy. Applied Physics Express. 2016, 9: 045502.

6. Peng Wang, Wenwu Pan, Kai Wang, Xiaoyan Wu, Li Yue, Qian Gong and Shumin Wang, Investigation to the deep centerrelated properties of low temperature grown InPBi with Hall and photoluminescence. AIP Advances, 2015, 5:127104.

7. Peng Wang, Changlian Jin, Huahan Zhan, Xiaohang Chen, Fuchun Xu, Yinghui Zhou,Huiqiong Wang, Junyong Kang. Effects of different substrate surface modifications on the epitaxial ZnO/Si. Journal of Crystal Growth, 2013, 378:245-250.

8. Peng Wang, Changlian Jin, Xuefeng Wu, Huahan Zhan et al. Quality improvement of ZnO thin layers overgrown on Si(100) substrates at room temperature by nitridation pretreatment. AIP Advances, 2012, 2:022139.

9. Xu Yi Zhao, Peng Wang, Chunfang Cao, Jinyi Yan, Fangxing Zha, Hailong Wang, Qian Gong. Annealing effect of the InAs dot-in-well structure grown by MBE. Journal of Crystal Growth, 2017, 480:115-118.

10. Kai Wang, Peng Wang, Wenwu Pan, Xiaoyan Wu, Qian Gong and Shumin Wang, Growth of semiconductor alloy InGaPBi on InP by molecular beam epitaxy. Semicond. Sci. Technol., 2015, 30:094006.

11. Li Yue, Peng Wang, Kai Wang, Xiaoyanwu, Wenwu Pan, Yaoyao Li, et al., Novel InGaPBi single crystal grown by molecular beam epitaxy, Applied Physics Express, 2015, 8:041201.

12. Wenwu Pan, Peng Wang, Xiaoyan Wu, Kai Wang, Jian Cui, Li Yue, et al.,Growthand materialproperties of InPBi thin films using gas source molecular beam epitaxy. Journal of Alloys and Compounds, 2015, 656: 777.

13. Changlian Jin, Peng Wang, Huahan Zhan, Optimizations of ZnO/Si(100) with ZnO/ZnMgO super lattice buffer layers grown by molecular beam epitaxy. Advanced Materials Research, 2013, 706:172-175.

專利申請

1. 王朋 龔謙 曹春芳 丁彤彤 「一種硅基砷化鎵複合襯底的製備方法」 CN105826169 A, 08/03/2016.

2. 龔謙 王朋 曹春芳 丁彤彤 「GaAs分子束外延生長過程中As原子最高結合律的測量方法」 CN 105632965 A, 06/01/2016.

3. 王庶民 潘文武 李耀耀 王朋 王凱 吳曉燕 崔健 「一種半導體材料、半導體薄膜及其製備方法」 CN 104810454 A, 07/29/2015.