基於AFMF和光學顯微鏡技術檢視原始碼討論檢視歷史

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基於AFMF和光學顯微鏡技術結合光測PL及電測EL的高分辨率檢測程序能檢驗小於1 μm的LED芯片，LED檢測可依據測量原理分為光致發光測試（Photoluminescence; PL）及電致發光測試（Electroluminescence; EL），前者通過光學方式照射或掃過LED來檢測，後者則是藉由通電來確認LED是否正常運作。兩者皆可用來檢測LED的功能是否正常且符合業界標準，也各有利弊。

簡介

PL可以在不接觸且不損壞LED芯片的情況下進行測試，但準確度較EL測試低。而EL測試雖然較準確，但需要通過物理性的探針接觸方式來進行通電測試，而在Micro LED芯片尺寸非常微小的狀況下，挑戰性更高一層。

而InZiv的高分辨率解決方案，則是將兩種測試方式結合起來。首先以大範圍的PL掃描，指認出需要進一步檢測的區塊，再以更精細的高分辨率的nano-PL針對這些區域進行檢測，找出更多信息。nano-PL測試已能夠達到100 nm的分辨率。最後，再採用nano-EL測試補強，確保檢測範圍內的芯片皆能運作。

「一片標準的Micro LED晶圓通常包含上百萬顆芯片，通過此三階段篩選測試方案，InZiv能將需要高分辨率檢測的範圍縮小，控制EL檢測規模。」Lewis說明，如此一來，檢測的速率能夠大幅提升，檢測成本也因此降低，同時，原本正常運作的LED芯片也不會因檢測而造成損害。

至於檢測的精密度，Lewis則驕傲地秀出數據：「我們的檢測方案能夠用在1 μm甚至以下的芯片尺寸，並可達到100 nm的精準度跟重複率（± 10%）。」

建立芯片特徵及缺陷數據庫改善Micro LED製程

有效率的檢測方案不僅要提升技術精度，更提供全面性的檢測找出芯片的缺陷問題，進而協助廠商檢視Micro LED製造過程並能加以改善。因此，InZiv也在其高分辨率檢測方案中，針對Micro LED芯片的各項特徵進行細部檢視，讓客戶得以重新確認芯片的缺陷來源，由此調整製程以提升良率。「InZiv能以比目前市場上的方案高出10倍的超高分辨率來檢測Micro LED芯片。」

Micro LED廠商能夠藉此全方位檢視不同的芯片特色，包括光學及光譜的不規則處、奈米等級的3D結構、出光角度、發光效率及散熱特性，還有光學及結構上相對應的邊牆結構等。藉由分析這些特性，廠商便能抽絲剝繭而找出製程中造成缺陷的問題，對症下藥解決難題。

通過PL大範圍掃描以及後續的nano-PL跟nano-EL檢測階段，InZiv企圖整合搜集到的芯片信息加以分門別類，建置在線數據庫。並扮演着Micro LED製程中承先啟後的關鍵角色，讓客戶在確認芯片良率的同時，也能回頭優化製程。

InZiv持續專注研發，拓展檢測設備產品線對應不同Micro LED製程階段

隨着Micro LED顯示技術逐漸從研發樣本轉向商業量產，InZiv認為業界對於檢測設備的需求將會持續增長，「我們的目標則是要提供相應於各個不同製程階段的檢測方案，成為Micro LED技術進展的第一線後援。」InZiv已經推出Micro LED的晶圓片檢測方案，目前能在25分鐘以內以PL方案完整檢驗單片6吋晶圓片，並希望在明年能將檢測時間縮短至15分鐘以內。同時，InZiv也正打造能夠檢測整個晶圓片的EL方案。

除了持續提升晶圓檢測的速率跟精準度，InZiv也積極研發針對其他製程的檢測方案，現階段正與上下游廠商討論Micro LED巨量轉移後的檢測，之後也希望能參與面板階段的檢測。

「InZiv當前的目標是延伸產品線，以更符合不同的Micro LED製程需求。」Lewis表示，由於Micro LED顯示技術依然蓬勃發展中，生態圈內的廠商，皆對創新技術抱持開放態度，並期待有更多新技術投入，加快突破當前瓶頸。這個產業氛圍也讓InZiv能夠跟產業鏈建立起更密切的合作關係。