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内存刷新

增加 99 位元組, 3 年前
发展变化
==发展变化==
近年来,由于 CPU 的速度越来越快,使得 DRAM 越来越跟不上 CPU 的速度,使二者的[[匹配]]关系失去平衡。这使 CPU 大材小用,不得不停下来,插入几个等待周期来配合慢速的内存刷新速度。因此产生了 AT 时代主板上的交叉( Interleave )刷新内存方法,这种设计要求至少有两个 BANK 。当一个 BANK 与 CPU 交换数据时,另一个 BANK 借机进行数据刷新。偷闲的刷新工作,使 CPU 总在工作。也许您应该知道电脑[[ 电脑 主板]] <ref>[李素霞著. 计算机教学实践[M]. 成都:电子科技大学出版社, 2017.08.]</ref> 上的[[内存条]]为什么要分为 BANK 了,显然只让一个 BANK 插慢内存条势必使该方法失效;另外一种方法是 DRAM Page Mode ,也即动态 DRAM 页面模式。其原理是:在 CPU 对 DRAM 进行读写的一个周期中,只能对一个地址进行存取。可是如果把列地址固定,只连续改变内存的行地址,就可以得到一块连续的内存(可以称为一页),从而使 CPU 可以存取范围更大(页面)的数据,加快了数据存取过程。从单一地址到多个地址,从线性到页面的方法大大提高了 CPU 的效率,而且再也不依赖 BANK 的物理条件了。单单靠改进存取设计方法是不够的。使用新的内存材质,改进数据读写周期的触发
电路,更高级的调整 CMOS 中关于 DRAM 的刷新周期进行优化设计等都可以提高 CPU 的效率,可喜的是动态的 DRAM 速度正在提高 PC133 标准正在流行, PC155 也指日可待。
 
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