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内存刷新
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[[File:内存刷新1.png|缩略图|内存刷新[https://pic1.znj.com/Uploads/Editor/2018-06-29/5b35cc6fbe26b.png 原图链接][https://pic1.znj.com/Uploads/Editor/2018-06-29/5b35cc6fbe26b.png 图片来源优酷网]]]
通常主板上使用的内存条应该叫做动态 DRAM ，其中的数据是靠[[电容特性存储]]的。由于电容会放电，要维持数据，就要不断的给它充电。给动态 DRAM 定期充电的机制就叫做[[数据刷新时钟电路]]，即内存刷新电路。细品味起来感觉有些问题，“ DRAM ”中的“ D ”实际上就是动态的含义，似乎语意上有所重复。不过请大家原谅，因为生活中类似的地方很多。比如俄罗斯的苏伯汤，实际上[[苏伯]]就是俄语的汤。姑且就叫做[[动态]] DRAM 吧，比动态 RAM 亲切。
'''中文名''':[[内存刷新]]
'''D含义'''；动态
'''刷新时间''':数毫秒充电一次
'''时间每隔''': 15 微秒
==工作原理==
[[File:内存刷新2.png|缩略图|内存刷新[https://gss0.baidu.com/9fo3dSag_xI4khGko9WTAnF6hhy/zhidao/wh%3D600%2C800/sign=5b131e266281800a6eb0810881051fc2/cb8065380cd791231d9673dda3345982b2b78021.jpg 原图链接][https://gss0.baidu.com/9fo3dSag_xI4khGko9WTAnF6hhy/zhidao/wh%3D600%2C800/sign=5b131e266281800a6eb0810881051fc2/cb8065380cd791231d9673dda3345982b2b78021.jpg 图片来源优酷网]]]
一般情况下，内存刷新电路必须在数毫秒（ ms ）之内对 DRAM 刷新一次，否则[[数据]]就会丢失。很象是一个流沙漏斗，一旦不加沙就会完全漏光。
在标准的 PC 电路设计中，每隔 15 微秒（ us ）对 DRAM 充电一次，整个充电操作必须在 4ms 之内完成。
==发展变化==
近年来，由于 CPU 的速度越来越快，使得 DRAM 越来越跟不上 CPU 的速度，使二者的[[匹配]]关系失去平衡。这使 CPU 大材小用，不得不停下来，插入几个等待周期来配合慢速的内存刷新速度。因此产生了 AT 时代主板上的交叉（ Interleave ）刷新内存方法，这种设计要求至少有两个 BANK 。当一个 BANK 与 CPU 交换数据时，另一个 BANK 借机进行数据刷新。偷闲的刷新工作，使 CPU 总在工作。也许您应该知道[[电脑主板]]上的[[内存条]]为什么要分为 BANK 了，显然只让一个 BANK 插慢内存条势必使该方法失效；另外一种方法是 DRAM Page Mode ，也即动态 DRAM 页面模式。其原理是：在 CPU 对 DRAM 进行读写的一个周期中，只能对一个地址进行存取。可是如果把列地址固定，只连续改变内存的行地址，就可以得到一块连续的内存（可以称为一页），从而使 CPU 可以存取范围更大（页面）的数据，加快了数据存取过程。从单一地址到多个地址，从线性到页面的方法大大提高了 CPU 的效率，而且再也不依赖 BANK 的物理条件了。单单靠改进存取设计方法是不够的。使用新的内存材质，改进数据读写周期的触发
电路，更高级的调整 CMOS 中关于 DRAM 的刷新周期进行优化设计等都可以提高 CPU 的效率，可喜的是动态的 DRAM 速度正在提高 PC133 标准正在流行， PC155 也指日可待。
==视频==
==后台应用一直刷新占内存？教你关闭这个选项，手机运行速度飞快==
{{#iDisplay:h0601u1yhhn | 560 | 390 | qq }}
==参考文献==
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通常主板上使用的内存条应该叫做动态 DRAM ，其中的数据是靠[[电容特性存储]]的。由于电容会放电，要维持数据，就要不断的给它充电。给动态 DRAM 定期充电的机制就叫做[[数据刷新时钟电路]]，即内存刷新电路。细品味起来感觉有些问题，“ DRAM ”中的“ D ”实际上就是动态的含义，似乎语意上有所重复。不过请大家原谅，因为生活中类似的地方很多。比如俄罗斯的苏伯汤，实际上[[苏伯]]就是俄语的汤。姑且就叫做[[动态]] DRAM 吧，比动态 RAM 亲切。
'''中文名''':[[内存刷新]]
'''D含义'''；动态
'''刷新时间''':数毫秒充电一次
'''时间每隔''': 15 微秒
==工作原理==
[[File:内存刷新2.png|缩略图|内存刷新[https://gss0.baidu.com/9fo3dSag_xI4khGko9WTAnF6hhy/zhidao/wh%3D600%2C800/sign=5b131e266281800a6eb0810881051fc2/cb8065380cd791231d9673dda3345982b2b78021.jpg 原图链接][https://gss0.baidu.com/9fo3dSag_xI4khGko9WTAnF6hhy/zhidao/wh%3D600%2C800/sign=5b131e266281800a6eb0810881051fc2/cb8065380cd791231d9673dda3345982b2b78021.jpg 图片来源优酷网]]]
一般情况下，内存刷新电路必须在数毫秒（ ms ）之内对 DRAM 刷新一次，否则[[数据]]就会丢失。很象是一个流沙漏斗，一旦不加沙就会完全漏光。
在标准的 PC 电路设计中，每隔 15 微秒（ us ）对 DRAM 充电一次，整个充电操作必须在 4ms 之内完成。
==发展变化==
近年来，由于 CPU 的速度越来越快，使得 DRAM 越来越跟不上 CPU 的速度，使二者的[[匹配]]关系失去平衡。这使 CPU 大材小用，不得不停下来，插入几个等待周期来配合慢速的内存刷新速度。因此产生了 AT 时代主板上的交叉（ Interleave ）刷新内存方法，这种设计要求至少有两个 BANK 。当一个 BANK 与 CPU 交换数据时，另一个 BANK 借机进行数据刷新。偷闲的刷新工作，使 CPU 总在工作。也许您应该知道[[电脑主板]]上的[[内存条]]为什么要分为 BANK 了，显然只让一个 BANK 插慢内存条势必使该方法失效；另外一种方法是 DRAM Page Mode ，也即动态 DRAM 页面模式。其原理是：在 CPU 对 DRAM 进行读写的一个周期中，只能对一个地址进行存取。可是如果把列地址固定，只连续改变内存的行地址，就可以得到一块连续的内存（可以称为一页），从而使 CPU 可以存取范围更大（页面）的数据，加快了数据存取过程。从单一地址到多个地址，从线性到页面的方法大大提高了 CPU 的效率，而且再也不依赖 BANK 的物理条件了。单单靠改进存取设计方法是不够的。使用新的内存材质，改进数据读写周期的触发
电路，更高级的调整 CMOS 中关于 DRAM 的刷新周期进行优化设计等都可以提高 CPU 的效率，可喜的是动态的 DRAM 速度正在提高 PC133 标准正在流行， PC155 也指日可待。
==视频==
==后台应用一直刷新占内存？教你关闭这个选项，手机运行速度飞快==
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==参考文献==
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