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內存刷新原圖鏈接圖片來源優酷網

通常主板上使用的內存條應該叫做動態 DRAM ，其中的數據是靠電容特性存儲的。由於電容會放電，要維持數據，就要不斷的給它充電。給動態 DRAM 定期充電的機制就叫做數據刷新時鐘電路，即內存刷新電路。細品味起來感覺有些問題，「 DRAM 」中的「 D 」實際上就是動態的含義，似乎語意上有所重複。不過請大家原諒，因為生活中類似的地方很多。比如俄羅斯的蘇伯湯，實際上蘇伯就是俄語的湯。姑且就叫做動態 DRAM 吧，比動態 RAM 親切。

中文名:內存刷新

D含義；動態

刷新時間:數毫秒充電一次

時間每隔: 15 微秒

工作原理

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一般情況下，內存刷新電路必須在數毫秒（ ms ）之內對 DRAM 刷新一次，否則數據就會丟失。很象是一個流沙漏斗，一旦不加沙就會完全漏光。 在標準的 PC 電路設計中，每隔 15 微秒（ us ）對 DRAM 充電一次，整個充電操作必須在 4ms 之內完成。

發展變化

近年來，由於 CPU 的速度越來越快，使得 DRAM 越來越跟不上 CPU 的速度，使二者的匹配關係失去平衡。這使 CPU 大材小用，不得不停下來，插入幾個等待周期來配合慢速的內存刷新速度。因此產生了 AT 時代主板上的交叉（ Interleave ）刷新內存方法，這種設計要求至少有兩個 BANK 。當一個 BANK 與 CPU 交換數據時，另一個 BANK 藉機進行數據刷新。偷閒的刷新工作，使 CPU 總在工作。也許您應該知道電腦主板 上的內存條為什麼要分為 BANK 了，顯然只讓一個 BANK 插慢內存條勢必使該方法失效；另外一種方法是 DRAM Page Mode ，也即動態 DRAM 頁面模式。其原理是：在 CPU 對 DRAM 進行讀寫的一個周期中，只能對一個地址進行存取。可是如果把列地址固定，只連續改變內存的行地址，就可以得到一塊連續的內存（可以稱為一頁），從而使 CPU 可以存取範圍更大（頁面）的數據，加快了數據存取過程。從單一地址到多個地址，從線性到頁面的方法大大提高了 CPU 的效率，而且再也不依賴 BANK 的物理條件了。單單靠改進存取設計方法是不夠的。使用新的內存材質，改進數據讀寫周期的觸發

電路，更高級的調整 CMOS 中關於 DRAM 的刷新周期進行優化設計等都可以提高 CPU 的效率，可喜的是動態的 DRAM 速度正在提高 PC133 標準正在流行， PC155 也指日可待。