SiC·GaN功率半導體封裝和可靠性評估技術檢視原始碼討論檢視歷史

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《SiC·GaN功率半導體封裝和可靠性評估技術》，菅沼，克昭 著，出版社： 機械工業出版社。

機械工業出版社成立於1950年，是建國後國家設立的第一家科技出版社，前身為科學技術出版社，1952年更名為機械工業出版社。機械工業出版社（以下簡稱機工社）由機械工業信息研究院作為主辦單位，目前隸屬於國務院國資委。

內容簡介

本書重點介紹全球功率半導體行業發展潮流中的寬禁帶功率半導體封裝的基本原理和器件可靠性評價技術。書中以封裝為核心，由熟悉各個領域前沿的專家詳細解釋當前的狀況和問題。主要章節為寬禁帶功率半導體的現狀和封裝、模塊結構和可靠性問題、引線鍵合技術、芯片貼裝技術、模塑樹脂技術、絕緣基板技術、冷卻散熱技術、可靠性評估和檢查技術等。儘管極端環境中的材料退化機制尚未明晰，書中還是總結設計了新的封裝材料和結構設計，以儘量闡明未來的發展方向。本書對於我國寬禁帶（國內也稱為第三代）半導體產業的發展有積極意義，適合相關的器件設計、工藝設備、應用、產業規劃和投資領域人士閱讀。

作者介紹

何鈞

現任職於重慶偉特森電子科技有限公司，1995年畢業於北京大學物理系，曾於Charactered Semiconductor（後歸屬於Global Foundries）, Hewlett Packard, Global Communication Semiconductor, Semisouth Lab.，北京泰科天潤等企業多年從事硅集成電路、MEMS(噴墨打印頭芯片)、砷化鎵和氮化鎵射頻、磷化銦光電、碳化硅功率等化合物半導體器件的工藝製造以及工藝和設計研發工作。

許恆宇

博士，現任職於中國科學院微電子研究所，中國科學院大學研究生導師。2006年畢業於四川大學，同年留學日本，先後於日本的德島大學、大阪大學和新日本無線株式會社開展碳化硅等寬禁帶半導體器件研究。一直以來，主要從事碳化硅器件的仿真設計、工藝研發整合和可靠性失效機理分析等領域的工作。2011年歸國後，致力於碳化硅器件在面向光伏逆變器、新能源汽車和智能電網應用領域提供技術服務和產品。