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DUV光源DUV光源即深紫外光源。

準分子激光光源：如氟化氬（ArF）準分子激光器，通過氬、氟氣體混合物在高壓電場下生成不穩定的準分子，當其躍遷回基態時釋放出193nm波長的深紫外光。

全固態激光光源：以中科院研發的全固態DUV光源為例，採用自製的摻鐿釔鋁石榴石（Yb:YAG）晶體放大器產生1030nm激光，再通過不同光路進行波長轉換，最終輸出193nm的激光光束。

特點

波長較短：波長在200納米^[1]到300納米範圍內，常見的ArF激光波長為193納米，能實現更小尺寸的光刻圖案轉移。

相干性好：如全固態DUV光源，輸出的激光光束具有良好的相干性，可使光刻過程中光線的干涉現象更穩定，提高圖案的精度和質量。

能量密度高：可在短時間內將大量能量集中在小面積上，使光刻膠能夠快速、準確地發生化學反應，實現精細圖案的雕刻^[2]。

半導體製造：是半導體光刻技術中常用的光源，用於製造7nm以上的芯片，如28納米、14納米、10納米工藝節點的芯片製造。

科研領域：深紫外全固態激光源（duv-dpl）可用於物理、化學、信息、材料、生命、資環等學科領域的前沿研究，如觀測凝聚態物質的微觀電子狀態、研究光化學反應等。

其他領域：還可應用於光發射電子顯微鏡、光致發光譜儀、拉曼光譜儀等科學儀器，將其觀測精度或研究範圍拓展到深紫外激光波段。

國外：ASML、佳能、尼康等國外廠商在DUV光刻機領域技術成熟，長期以來占據着市場主導地位，其DUV光刻機多採用氟化氙（ArF）準分子激光技術。

國內：中國科學院研究團隊成功研發出全固態DUV光源技術，可發射193nm的相干光，光譜純度與現有商用準分子激光系統相當，有望用於3nm芯片製造，打破了國外技術壟斷。