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CVD石墨烯製備商石墨烯CVD是一種用於化學、材料科學、能源科學技術、化學工程領域的分析儀器，兼容真空及常壓兩種主流的生長模式 G-CVD系統是一套完備的石墨烯製備系統，包括硬件和軟件部分。工作在常壓氣氛或真空條件，通過控制，可以在10-3 Torr ~ 760 Torr之間的任意氣壓下進行石墨烯的生長。

技術要點

既可以生長出六邊形的石墨烯單晶，也可以生長出花瓣狀的石墨烯的單晶。

計算機自動控制，內置多種生長參數 整個石墨烯生長過程的重要參數由計算機進行精確控制，包括溫度、氣體流量等。控制軟件內置多種生長優化參數，用戶僅需將襯底放入樣品腔，即可開始生長。

製備高質量石墨烯單晶，單晶尺寸可達數毫米 採用特殊優化的生長條件，可以得到尺寸達數毫米的單疇單晶。在多晶薄膜方面，可以製備得到數十厘米尺寸的單層石墨烯薄膜。

應用推廣的價值和前景

生長13C同位素石墨烯，研究石墨烯生長動力學過程 G-CVD系統有13C同位素選項，交替生長不同同位素石墨烯， 用於研究石墨烯生長的動力學過程。美國知名cvd石墨烯製備商，已可大規模製備CVD石墨烯，目前只生產針對電子信息行業的高品質cvd石墨烯，目前可以在銅箔111晶面上生長，單層率大於95%，20*30cm尺寸月產量可達5000片，單片售價250美元左右。 我們的專利技術與方法使世界一流的石墨烯產品的設計成為可能，實現並優化了石墨烯轉移的 銅基板的重複使用，從根本上杜絕了銅基板的浪費。這種行業領先的技術不僅降低了石墨烯生產成本，還提高了產量與質量。我們的工藝將在包括傳感器，OLED，阻隔材料等的領域裡帶來行業 的革新。例如在傳感器領域，我們生產出了一種僅有一個原子的厚度的應變傳感器，這是目前世 界上最小，最靈敏的應變傳感器。

公司核心技術最初是在加利福尼亞大學聖地亞哥分校納米工程系開發完成的。我們研發該 技術的初衷是基於以下想法：如果單層的化學氣相沉積法製備而成的石墨烯不能以低成本，高通 量和環保的方式進行大規模生產，那麼世界範圍內成千上萬個關於石墨烯的產品理念將永遠停留 在實驗室中，無法惠及普通消費者。因此，我們公司的創始人決定着手於實現一種高通量，低成 本，環保的石墨烯生產工藝，以適用於生產具有不同規格的石墨烯材料。這種思想具體體現在我 們設計，產品，以及我們的專利組合中。 現在的我們能夠給客戶提供一流的石墨烯材料以及石墨烯生產服務。我們所有的產品都是在美 國設計和製造的。這些產品都是在 1000 級潔淨室中生產的，並且全程由美國培訓的納米工程師監督，符合嚴格的科學標準，質量穩定，品質出眾。