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配位數，配位化學中是指化合物中中心原子周圍的配位原子個數，此概念首先由阿爾弗雷德·維爾納在1893年提出。配位數通常為2-8，也有高達10以上的，如鈾和釷的雙齒簇狀硝酸根離子U(NO3)6、Th(NO3)6，及研究的PbHe15離子，該離子中鉛的配位數至少為15。 配位數（coordination number）是中心離子的重要特徵。直接同中心離子（或原子）配位的離子數目叫中心離子（或原子）的配位數。
配位數的影響因素
周期數 中心原子的最高配位數決定於它在周期表中的周次。在周期表內，第1周期元素的最高配位數為2，第2周期元素的最高配位數為4，第3周期為6，以下為8、10。最高配位數是指在配合物中，中心原子周圍的最高配位原子數，實際上一般可低於最高數。由表可見，在實際中第1周期元素原子的配位數為2，第2周期不超過4。除個別例外，第3、4周期不超過6，第5、6周期為8。最常見的配位數為4和6，其次為2、5、8。配位數為奇數的通常不如偶數的普遍。
電荷 中心原子的電荷高，配位數就大。例如，等電子系列的中心原子Ag+、Cd2+和In3+與Cl-分別生成配位數為2、4和6的[AgCl2]-、[CdCl4]2-和[InCl6]3-配離子。同一元素不同氧化態的離子常具有不同的配位數，例如，二價鉑離子Pt2+的配位數為4，而4價鉑離子Pt4+為6。這是因為中心離子的電荷愈高，就需要愈多的配體負電荷來中和。
成鍵軌道 從價鍵理論的觀點來說，中心原子成鍵軌道的性質決定配位數，而中心原子的電子構型對參與成鍵的雜化軌道的形成很重要，例如，Zn2+和Cu+離子的5個3d軌道是全滿的，適合成鍵的是一個4s和3個4p軌道，經sp3雜化形成4個成鍵軌道，指向正四面體的四個角。因此，Zn2+和Cu2+與CN-生成配位數為4的配離子[Zn(CN)4]2-和[Cu(CN)4]3-，並且是正四面體構型。
配體性質 同一氧化態的金屬離子的配位數不是固定不變的，還取決於配體的性質。例如，Fe3+與Cl-生成配位數為 4的[FeCl4]-，而與F-則生成配位數為 6的[FeF6]3-。這是因為 Fe3+從每個體積較大而較易極化的Cl-接受的電荷要大於體積較小而較難極化的F-。配合物的中心原子與配體間鍵合的性質，對決定配位數也很重要。在含F-的配合物中，中心原子與電負性很高的F-間的鍵合主要是離子鍵。如在B3+、Fe3+和Zr4+與F-的配合物中，隨着中心原子半徑的增加，配位數分別為4、6和7，主要受中心原子與配體的半徑比的限制（表3）。很多配合物的中心原子與配體（例如CN-、NO、SCN-、Br-、I-、NH3和CO等）間主要形成共價鍵，它們的配位數決定於中心原子成鍵軌道的性質。 配位場理論認為中心原子的內層軌道受周圍配體的影響，也即關係到配位數。例如，Ni2+離子與H2O和NH3等具有小的相互排斥力的弱場配體，生成配位數為 6的[Ni(H2O)6]2+和[Ni(NH3)6]2+等八面體配離子；與Br-和I-等具有大的相互排斥力的弱場配體則趨向於生成配位數為4的[NiBr4]2-和[NiI4]2-等正四面體配離子；與CN-等強場配體則生成配位數為4的[Ni(CN)4]2-平面正方形配離子。
舉例介紹 中心離子（或原子）同單基配體結合的數目就是該中心離子（或原子）的配位數。例如[Cu(NH3)4]SO4中Cu離子的配位數為4，[Co(NH3)2(H2O)4]Cl中Co離子的配位數為6。中心離子（或原子）同多基配體配合時，配位數等同於配位原子數目，例如[Cu(en)2]中的乙二胺（en）是雙基配體，因此Cu離子的配位數為4。 中心離子的配位數一般是2、4、6，最常見的是4和6，配位數的多少取決於中心離子和配體的性質──電荷、體積、電子層結構以及配合物形成時的條件，特別是濃度和溫度。一般來講，中心離子的電荷越高越有利於形成配位數較高的配合物。如Ag，其特徵配位數為2，如[Ag(NH3)2]；Cu，其特徵配位數為4，例[Cu(NH)]；Co，其特徵配位數為6，例[Co(NH)HO]。但配體電荷的增加對形成高配位數是不利的，因為它增加了配體之間的斥力，使配位數減少。如[Co(HO)]同[CoCl]相比，前者的配體是中性分子，後者是帶負電荷的Cl離子，使Co的配位數由6降為4。因此，從電荷這一因素考慮，中心離子電荷的增高以及配位體電荷的減少有利於配位數的增加。 中心離子的半徑越大，在引力允許的條件下，其周圍可容納的配體越多，配位數也就越大。例如Al與F可形成[AlF]配離子，體積較小的B（Ⅲ）原子就只能生成[BF]配離子。但應指出中心離子半徑的增大固然有利於形成高配位數的配合物，但若過大又會減弱它同配體的結合，有時反而降低了配位數。如Cd可形成[CdCl]配離子，比Cd大的Hg，卻只能形成[HgCl]配離子。顯然配位體的半徑較大，在中心離子周圍容納不下過多的配體，配位數就減少。如F可與Al形成[AlF]配離子，但半徑比F大的Cl、Br、I與Al只能形成[AlX]配離子（X代表Cl、Br、I離子）。 溫度升高，常使配位數減小。這是因為熱振動加劇時，中心離子與配體間的配位鍵減弱的緣故。而配位體濃度增大有利於形成高配位數的配合物。 綜上所述，影響配位數的因素是複雜的，是由多方面因素決定的，但對於某一中心離子在與不同的配體結合時，常具有一定的特徵配位數。[1]
配位數的定義
在配位化合物（簡稱配合物）中直接與中心原子連接的配體的原子數目。通常，配位數可以從2到9。如在配合物[Nb(H2O)9]3+和[ReH9]2-中配位數為9；在[Mo(CN)8]4-和[TaF8]3-中為8；在[ZrF7]3-和[NbF7]2-中為7；在[Ti(H2O)6]3+、[Co(NH3)6]3+中為6；在[CdCl5]3-和Fe(CO)5中為 5；在[BeCl4]2-、[Zn(CN)4]2- 和Ni(CO)4中為4；在[HgI3]-中為3；在[Ag(NH3)2]+和[Au(CN)2]- 中為2。配位數為10或更高（11或12）的只在鑭系和錒系配合物中偶爾發現，是極少見的。 此概念也可延伸至任何化合物，也就是配位數等同於共價鍵鍵連數，例如，可以說甲烷中碳的配位數為4。這種說法通常不計π鍵。 晶體學中，配位數是晶格中與某一布拉維晶格相距最近的格子個數。配位數與晶體結構或晶胞類型有關，且決定原子堆積的緊密程度，體心立方晶系中原子配位數為8。最高的配位數（面心立方）為12，存在於六方緊密堆積和立方緊密堆積結構中。 離子晶體中，指一個離子周圍最近的異電性離子的數目。[2]