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記憶電阻器

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記憶電阻器,這是一種可以記憶自身歷史的電路,即 使在被關閉的情況下仍具備此項功能。記憶電阻器可以讓手機在使用數周或更久時間後 無需充電,也可使筆記本電腦在電池電量耗盡後很長時間仍能保存信息。這項發現將有可能 用來製造非易失性存儲設備、即開型PC、更高能效的計算機和類似人類大 腦方式處理與聯繫信息的模擬式計算機等鋪平了道路,未來甚至可能會通過大大提高晶體管所能達到 的功能密度,對電子科學的發展歷程產生重大影響。

簡介

早在37年前,美國加州大學伯克利分校的華裔科學家蔡少棠教授,就從理論上預言 了記憶電阻器的存在,但直到現在才把它真正研製出來。

華裔科學家37年前理論預測成真。基礎電子學教科書列出了三種基本的無源電路元件:電阻器、電容器和電感器。早在1971年,美國加州大學伯克利分校的華裔科學家蔡少棠教授就從理論上預言了憶阻器的存在。憶阻器實際上就是一個有記憶功能的非線性電阻器。蔡少棠發表的論文《憶阻器:下落不明的電路元件》提供了憶阻器的原始理論架構,推測電路有天然 的記憶能力,即使電力中斷亦然。簡單說,憶阻器是一種有記憶功能的非線性電阻。通過控制電流的變化可改變其阻值,如果把高阻值定義為"1",低阻值定義為"0",則這 種電阻就可以實現存儲數據的功能。

評價

早在37年前,美國加州大學伯克利分校的華裔科學家蔡少棠教授,就從理論上預言 了記憶電阻器的存在,但直到現在才把它真正研製出來。

華裔科學家37年前理論預測成真。基礎電子學教科書列出了三種基本的無源電路元件:電阻器、電容器和電感器。早在1971年,美國加州大學伯克利分校的華裔科學家蔡少棠教授就從理論上預言了憶阻器的存在。憶阻器實際上就是一個有記憶功能的非線性電阻器。蔡少棠發表的論文《憶阻器:下落不明的電路元件》提供了憶阻器的原始理論架構,推測電路有天然 的記憶能力,即使電力中斷亦然。簡單說,憶阻器是一種有記憶功能的非線性電阻。通過控制電流的變化可改變其阻值,如果把高阻值定義為"1",低阻值定義為"0",則這 種電阻就可以實現存儲數據的功能。[1]

參考文獻