林蘭英（檢視原始碼討論檢視歷史
| 林蘭英 | |
|---|---|
| 出生 |
1918年2月7日 福建莆田 |
| 逝世 | 2003年3月4日（85歲） |
| 國籍 | 中華人民共和國 |
| 民族 | 漢族 |
| 教育程度 | 美國賓夕法尼亞大學 |
| 職業 | 教育科研工作者 |
| 知名於 | 1980年當選為中國科學院學部委員 |
| 知名作品 | 《林蘭英論文選》 |
林蘭英（1918年2月7日 — 2003年3月4日），福建莆田人，中國著名科學家，中國半導體材料之母、中國太空材料之母。
1940年畢業於福建協和大學（福建師範大學前身）物理系；
1955年獲美國賓夕法尼亞大學博士學位；原中國科學院院士、中國科協副主席。長期從事半導體材料科學研究工作，是我國半導體科學事業開拓者之一。先後負責研製成我國第一根硅單晶、第一根無錯位硅單晶、第一台高壓單晶爐、第一片單異質結SOI外延材料、第一根GAP半晶、第一片雙異質結SOI外延材料，為我國微電子和光電子學的發展奠定了基礎；負責研製的高純度汽相和液相外延材料達到國際先水平。她先後四次獲中科院科技進步獎一等獎，兩次獲國家科學技術進步獎二、三等獎
1998年獲霍英東成就獎，並受到中央三代領導人的關懷和接見。 [1]
主要成就
科研成就
科研綜述 林蘭英率先組織和領導了中國生長硅單晶、銻化銦、砷化鎵和磷化鎵單晶的研究，並首先獲得了上述半導體單晶。為在中國率先研究半導體集成電路和光電子器件的單位提供了多種半導體單晶材料，並向全國推廣上述單晶生長技術和相應的材料測試技術，為中國微電子學和光電子學的開創奠定了基礎。參與組織領導4千位16千位大規模集成電路-MOS隨機存儲器的研製，1980、1982年兩次獲得中國科學院科技進步一等獎。她指導的高純砷化鎵液相外延和氣相外延材料研究達到國際先進水平，其中高純砷化鎵氣相外延研究至今仍然保持着採用鹵化系統的國際最高水平。1987年首次在世界上在微重力條件下從熔體中生長砷化鎵單晶獲得成功。以後又相繼四次在中國返回式衛星上生長生長砷化鎵單晶，在空間晶體生長、材料物理研究及器件應用等方面取得諸多科研成果。利用空間生長的半絕緣砷化鎵製造的微波低噪聲場效應晶體管和模擬開關集成電路的特性及優質品率提高 。
- 1958年秋天，中國第一根硅單晶誕生，長8厘米、直徑5.08厘米的圓柱體硅單晶。
- 1961年深秋，由林蘭英主持設計加工的中國第一台開門式硅單晶爐製造成功。
- 1962年春天，正式啟動拉制工作，中國第一根無位錯的硅單晶拉製成功。
- 1963年，東京舉辦國際工業博覽會，日本特邀這台硅單晶爐赴東京參展，後中國生產了900多台，遠銷東歐諸國。
- 1962年10月，一個半導體學術會議上，林蘭英拿出了砷化鎵單晶。經鑑定，砷化鎵單晶的電子遷移率達到當時國際上最高水平。
- 1964年，由她參與的中國第一隻砷化鎵二極管激光器問世。
「文革」開始那年，她還與中國第一位女院士林巧稚一同登上天安門城樓，事後便跌於「文革」的沼澤中。
- 1973年，還在「文革」風雨中的她，第一次提出用汽相外延和液相外延法製取砷化鎵單晶，後來，砷化鎵汽相外延電子遷移率連續4年居國際最高水平，至今還處於國際領先地位。
80年代，她開創性地提出在太空微重力條件下拉制砷化鎵的設想。
- 1987年8月，中國終於在第九顆返回式人造衛星上拉制出了第一塊高質量低缺陷的砷化鎵單晶。
- 1982年，高純LPEGaAs生長及性質，晶體生長雜誌，
- 1989年，太空GaAs製備與性質，材料科學文集
- 1993年，林蘭英論文選，福建科學技術出版社
承擔項目
- 1959-1964，直拉硅和區熔硅晶體生長，主持
- 1977-1980，高純VPE和LPEGaAs外延材料生長，主持
- 1985-1990，LCSSI-GaAs晶體生長，主持
- 1987-1994，空間GaAs材料生長和性質，主持
科研成果獎勵
林蘭英先後四次獲中國科學院科技進步獎一等獎，兩次獲國家科學技術進步獎二、三等獎。
榮譽表彰
| 時間 | 榮譽/表彰 |
| 1980年 | 中國科學院學部委員 |
| 1996年 | 何梁何利基金科學與技術進步獎 |
| 1998年 | 霍英東成就獎 |
人物評價
林蘭英是中國半導體材料科學的奠基人和開拓者，她帶動同事一起創造了多個「新中國的第一」，受到全世界科學家關注，在砷化鎵晶體太空生長和性質研究諸方面取得了舉世矚目的成就，被譽為「中國太空材料之母」 。（新浪新聞評） [2]