晶體硅檢視原始碼討論檢視歷史

晶體硅原圖鏈接圖片來源優酷網

晶體硅材料是最主要的光伏材料，性質為帶有金屬光澤的灰黑色固體、熔點高（1410）、硬度大、有脆性、常溫下化學性質不活潑。其市場占有率在 90%以上，而且在今後相當長的一段時期也依然是太陽能電池的主流材料。 ；

中文名:晶體硅

外文名:Crystalline Silicon

類   別:原子晶體

化學式:Si

顏   色:灰黑色

熔   點:1410 ℃

鍵   長:2.3515

分   類:多晶硅、單晶硅沸 點2355 ℃電離能8.151eV

簡介

性質概括：帶有金屬光澤的灰黑色固體、硬度大、有脆性、常溫下化學性質不活潑.

晶體硅：一個直徑75mm的硅片，可集成幾萬至幾十萬甚至幾百萬個元件，形成了微電子學，從而出現了微型計算機、微處理機等。由於當前信息工程的發展，硅主要用於微電子技術。以硅晶閘管為主的電力半導體器件，元件越做越大，與硅晶體管相比集成電路正相反，在直徑為75mm的硅片上，只做一個能承受幾kA電流和幾kV電壓的元件，這種元件滲透到電子、電力、控制3個領域就形成了一門新學科——電力電子學。為適應大規模集成電路的發展、單晶硅正向大直徑、高純度、高均勻性，無缺陷方向發展。最大硅片直徑已達150mm，實驗室的高純硅接近理論極限純度。常用的太陽能電池是硅電池。如果在1平方米麵積上鋪滿硅太陽電池，就可以得到100W電力。單晶硅太陽能電池的性能穩定，轉換效率高，體積小，重量輕，很適合作太空航天器上的電源。美國的大型航天器——太空實驗室上就安裝有4塊太陽能電池帆板，它們是由147840塊8平方厘米大小的單晶硅太陽能電池排列組成的，發電功率大約為12KW。

晶體硅原圖鏈接圖片來源優酷網

性質

化學及物理性質

單晶硅具有準金屬的物理性質，有較弱的導電性，其電導率隨溫度的升高而增加，有顯著的半導電性。超純的單晶硅是本徵半導體。在超純單晶硅中摻入微量的ⅢA族元素，如硼可提高其導電的程度，而形成p型硅半導體；如摻入微量的ⅤA族元素，如磷或砷也可提高導電程度，形成n型硅半導體。

結構

晶體硅結構為金剛石結構。

晶胞

硅原子構成的一個面心立方原包內還有四個原子，分別位於四個空間對角線的四分之一處。與鍺晶格結構相同，但晶胞邊長a（晶格常數）不同。300k時，硅的a=5.4305A，鍺的a=5.463A。

共價四面體

硅晶體中雖然不等價原子的環境不完全相同，但任何一個原子中都有4個最近鄰的原子，與之形成共價鍵。一個原子處在正四面體的中心，其它四個與它共價的原子位於四面體的頂點，這種四面體成為共價四 面體。

內部空隙

金剛石結構的另一個特點是內部存在着相當大的空隙。 ；

用途

1， 半導體材料

由於硅半導體耐高電壓、耐高溫、晶帶寬度大，比其它半導體材料有體積小、效率高、壽命長、可靠性強等優點，因此被廣泛用於電子工業集成電路的生產中。高純的單晶硅是重要的半導體材料。在單晶硅中摻入微量的第IIIA族元素，形成P型硅半導體另外廣泛應用的二極管、三極管、晶閘管和各種集成電路（包括我們計算機內的芯片和CPU)都是用硅做的原材料。

2， 太陽能光伏電池板

多晶硅可以直接用於製造太陽能光伏電池板，或加工成單晶硅後再用於製造光伏電池板。先將硅料鑄錠、切片或直接用單晶硅棒切片，再通過在硅片上摻雜和擴散形成PN結，然後採用絲網印刷法，將銀漿印在硅片上做成柵線，經過燒結，同時製成背電極，並在有柵線的面上塗減反射膜等一系列工藝加工成太陽能電池單體片，最後按需要組裝成太陽能電池板。目前，硅光伏電池占世界光伏電池總產量的98% 以上，其中多晶硅電池約占55% ，單晶硅電池約占36% ，其它硅材料電池約占70%。由於多晶硅光伏電池的製造成本較低，光電轉換效率較高(接近20%)，因而得到快速發展。 ；

3， 集成電路

這是將成千上萬個分立的晶體體管、電阻、電容等元件，採用掩蔽、光刻、擴散等工藝，把它們集成一個或幾個尺寸很小的晶片上，集結成一個以幾個完夠的電路。集成電路大大減小了體積、重量、引出線和焊點數目，並提高了電路性能和可靠性，同時降低了成本，便於批量生產，使計算機工業飛速發展。

4， 探測器

由對光照敏感的PN結或PIN結構成的光生伏打型的探測器。PIN結不是突變的PN結，而是在結的P和N側之間加入本徵區I層。該結構的光照表面（如P）區做得較薄，使入射光進入本徵區而被吸收，產生空穴-電子對。本徵區的強電場使載流子快速飄移，通過本徵區。因此，PIN結相同材料的PN結構相比，其響應時間更短。

5，傳感器

硅的傳感器有壓阻傳感器，它是將壓力轉化為電信號。硅片受外力作用時晶格形變，使得電阻率改變。熱敏電阻，利用硅的負溫度係數效應，當溫度升高時，載流子濃度增加，使得電阻率下降。 硅還可用於光敏傳感器和磁敏傳感器等。

製備

單晶硅

1 坩堝直拉法

用直拉法制單晶硅的設備系用T D K - 4 0 型或T D K - 3 6 A Z型單晶爐。爐內有爐室和拉制室，兩室中間有閘閥。一般使用電阻加熱，溫度和晶體直徑均採用自動控制，在純氬氣氣氛下進行常壓或減壓拉晶。減壓拉晶工藝不但能改善晶體生長條件，而且有助於降低晶體中碳的含量。拉晶前將設備各部件、合金石英坩堝、多晶硅和籽晶進行清潔處理。流程採用共熔和投入摻雜法，摻雜量由理論計算，並需經實踐加以修正。多晶硅和籽晶裝爐後，在流通的氬氣氣氛下，人工引晶放肩和收尾。晶體的等徑生長過程中，需根據情況適當調節功率，使其獲得直徑均勻的產品。

2 區域熔煉法

硅的區熔提純採用懸浮區熔法，區熔過程對多晶硅中分凝係數小的雜質有一定的提純作用，但對分凝係數大的雜質如硼則不起作用。多晶硅能用化學方法提純(如三氯氫硅精餾及氫還原)得到很高的純度，因此區熔法在硅的生產中，一般作為製作單晶的手段，而不作為提純手段。在區熔爐爐室內，將硅棒用上下夾頭保持垂直，有固定晶向的籽晶在下面，在真空或氬氣條件下，用高頻線圈加熱( 2 ～3MHz)，使硅棒局部熔化，依靠硅的表面張力及高頻線圈的磁力，可以保持一個穩定的懸浮熔區，熔區緩慢上升，達到製成單晶或提純的目的。設備及原料經清潔處理後裝爐，抽真空或充氬氣。在氬氣下高頻加熱進行區熔提純單晶。設備為QRL-20型區熔爐、高頻發生器及FC-16型磁飽和電抗器配套作生產主機。預熱、引晶、放肩、等徑、收尾等過程由人工控制。

多晶硅

多晶硅呈灰色或黑色且有金屬光澤的等軸八面晶體，是製造單晶硅的原料。硅屬半金屬，是極為重要的元素半導體材料。多晶硅的生產，除個別工廠採用硅烷熱分解法外，一般都採用氫還原三氯氫硅方法。

三氯氫硅法

包括三氯氫硅的合成和三氯氫硅的還原兩部分。

(1)三氯氫硅的合成

用金屬硅和氯化氫為原料，在流態化氯化爐中進行反應，三氯氫硅的沸點為31.5℃，與絕大多數雜質的氯化物揮發溫度相差較大，所以可用精餾法提純。三氯氫硅極易揮發和水解，產生強腐蝕的鹽酸氣，因此精餾設備必須防止水汽和空氣混入。小規模生產超純硅可採用聚四氟乙烯，特製玻璃或石英作為精餾設備材料，大規模生產則須採用耐腐蝕的金屬或合金材料以免銅、鐵、鎳等重金屬雜質混入而影響超純硅的質量。

(2)三氯氫硅的還原

在超低碳的不鏽鋼或鎳基合金製成的水冷爐壁還原爐內，用氫將三氯氫硅還原成硅。爐內有不透明石英鐘罩(有透明石英內層和觀察孔)和用細硅芯或鉭管制成的發熱體。細硅芯是用超純硅在特製的硅芯爐內製成。在進行化學氣相沉積之前，由於硅在常溫時電阻率很高，因此硅芯須在石英罩外用電阻加熱至300℃或用幾千伏的高壓電啟動。經過提純的氫氣(含水蒸汽量很少，露點在-70℃以下)在揮發器中將三氯氫硅自爐底帶入爐內，於1100～1150℃進行還原反應，使硅沉積在發熱體上，三氯氫硅氫還原法所生產的多晶棒，供區域熔煉法生產單晶硅用的硅棒直徑為50～100mm。供直拉法生產單晶用的硅棒直徑為50～150mm。還原尾氣中的三氯氫硅和四氯化硅在-80℃以下冷凝回收，氫氣淨化後可以循環使用。三氯氫硅氫還原製取超純硅的方法沉積速度較慢，一般不超過0.5mm/h。消耗電能很多，副產品四氯化硅量大，因此研究了很多新的綜合利用方法。根據已發表的資料，其中最有前途的方法是將四氯化硅轉化為三氯氫硅、二氯二氫硅、硅烷，然後還原或分解成為超純多晶硅。