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| 屠海令 | |
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中國工程院院士 | |
| 出生 |
1946年10月 北京市 |
| 國籍 | 中國 |
| 職業 | 教授，博士生導師 |
屠海令，男，漢族，1946年10月生，北京市人，1970年8月參加工作，1974年8月加入中國共產黨，英國巴斯大學半導體材料物理專業畢業，研究生學歷，博士學位，教授級高級工程師，博士生導師，中國工程院院士[1]，半導體材料專家[2]。
簡歷
1964年09月至1969年08月，天津大學精儀系自動化專業學習;
1970年08月至1971年08月，天津第三半導體器件廠試製組技術員;
1971年08月至1978年09月，天津半導體技術研究所組長、室主任;
1978年09月至1979年12月，北京有色金屬研究總院半導體材料專業攻讀研究生;
1979年12月至1983年12月，英國巴斯大學半導體材料物理專業攻讀博士學位;
1984年03月至1996年07月，北京有色金屬研究總院組長、室主任、副院長(其間:1994年11月至1995年8月美國北卡羅萊納州立大學半導體材料專業高級訪問學者);
1996年07月至2009年04月，北京有色金屬研究總院院長;
1999年02月至2009年05月，有研半導體材料股份有限公司董事長;
2006年04月起擔任北京有色金屬研究總院科技委員會主任;
2007年12月當選中國工程院院士;
2009年05月至今擔任北京有色金屬研究總院名譽院長;
2010年06月至今擔任中國工程院化工、冶金與材料工程學部副主任。
2014年4月中國煤炭科工集團有限公司外部董事，聘期二年(2014年1月至2015年12月)。
職位
是中國電子材料行業協會副理事長，中國有色金屬學會副理事長、中國材料研究學會副理事長、中國稀土學會副理事長、SEMI中國標準化材料委員會主任等。
中共十五、十六大代表，第十一屆全國人大代表，十一屆全國人大財經委員會委員，第十二屆、十三屆北京市人大代表。
學術成果
長期從事硅、化合物半導體及稀土半導體材料研究。研究領域包括半導體單晶生長中的傳質、傳熱過程，硅外延生長動力學，半導體材料表面物理化學，砷化鎵晶體生長新技術，三元系化合物半導體晶格動力學，稀土半導體材料結構相變，硅基半導體材料的製備技術，半導體材料中缺陷與雜質互作用及缺陷工程，半導體材料檢測技術等。獲國家級、部級科技進步獎十餘項，發表論文百餘篇，出版著作五部。
榮譽
1985年獲有突出貢獻回國留學人員表彰獎
國家高技術材料專家委員會個人表彰獎
國家攻關先進個人獎等
1993年獲政府特殊津貼
1996年獲國家有突出貢獻中青年專家稱號
2001年獲全國五一勞動獎章[3]
2004年榮獲何梁何利基金科學與技術進步獎