半導體學報檢視原始碼討論檢視歷史
《半導體學報》是由中國電子學會主辦，中國科學院半導體研究所承辦的學術刊物，報道半導體物理學和半導體科學技術領域內最新的科研成果和技術進展，被EI、CA、SA等收錄，在中國科學院、國家科委、中共中央宣傳部和國家新聞出版署的期刊評比中多次獲獎。
半導體學報期刊榮譽
《半導體學報》獲獎情況：中科院優秀期刊二等獎（90）、全國優秀期刊三等獎（92）、全國優秀期刊三等獎（97）；該刊被以下數據庫收錄：CA化學文摘(美)(2009)、SA科學文摘(英)(2009)、CBST科學技術文獻速報(日)(2009)、Pж(AJ)文摘雜誌(俄)(2009)、EI工程索引(美)(2009)、中國科學引文數據庫(CSCD—2008)。
半導體學報欄目設置：
《半導體學報》主要欄目有：研究快報、研究論文、研究簡報、技術進展等。
半導體學報相關期刊
量子電子學報、微波學報、杭州電子科技大學學報、吉林大學學報·信息科學版、成都信息工程學院學報、安徽電子信息職業技術學院學報、西安電子科技大學學報、計算機學報、工程管理學報、半導體光電雜誌。
半導體學報社簡介
1.文章標題：一般不超過20個漢字，必要時加副標題，並譯成英文。
2.作者姓名、工作單位：題目下面均應寫作者姓名，姓名下面寫單位名稱（一、二級單位）、所在城市（不是省會的城市前必須加省名）、郵編，不同單位的多位作者應以序號分別列出上述信息。
3.提要：用第三人稱寫法，不以「本文」、「作者」等作主語，應是一篇能客觀反映文章核心觀點和創新觀點的表意明確、實在的小短文，切忌寫成背景交代或「中心思想」，100－200字為宜。
4.關鍵詞：3－5個，以分號相隔，選擇與文章核心內容相關的具有獨立性的實在詞。
5.正文標題：內容應簡潔、明了，層次不宜過多，層次序號為一、（一）、1、（1），層次少時可依次選序號。
6.正文文字：一般不超過1萬字，正文用小4號宋體，通欄排版。
7.數字用法：執行GB/T15835－1995《出版物上數字用法的規定》，凡公元紀年、年代、年、月、日、時刻、各種記數與計量等均採用阿拉伯數字；夏曆、清代及其以前紀年、星期幾、數字作為語素構成的定型詞、詞組、慣用語、縮略語、臨近兩數字並列連用的概略語等用漢字數字。
8.圖表：文中儘量少用圖表，必須使用時，應簡潔、明了，少占篇幅，圖表均採用黑色線條，分別用阿拉伯數字順序編號，應有簡明表題（表上）、圖題（圖下），表中數據應註明資料來源。
9.注釋：注釋主要包括釋義性注釋和引文注釋，集中列於文末參考文獻之前。釋義性注釋是對論著正文中某一特定內容的進一步解釋或補充說明；引文注釋包括各種不宜列入文後參考文獻的引文和個別文後參考文獻的節略形式，其序號為①②③……。
名詞解釋
影響因子：指該期刊近兩年文獻的平均被引用率，即該期刊前兩年論文在評價當年每篇論文被引用的平均次數。
被引半衰期：衡量期刊老化速度快慢的一種指標 ，指某一期刊論文在某年被引用的全部次數中，較新的一半被引論文刊載的時間跨度。
期刊他引率：他引率是指，此期刊[1]被引用次數中，被其他刊引用次數所占的比例。
引用半衰期：指某種期刊在某年中所引用的全部 參考文獻[2]中較新的一半是在最近多少年時段內刊載的。
平均引文率：在給定的時間內，期刊篇均參考文 獻量，用以測度期刊的平均引文水平，考察期刊吸收信息的能力以及科學交流程度的高低。