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《半導體中的電子和空穴》，半導體晶體管電子學基礎著作。威·肖克利著。1950年美國德·萬·Nostrand公司出版，1951年、1953年、1954年、1955年分別再版。

內容簡介

本書共558頁，分為3大部分共17章。第1部分為晶體管電子學導論，包括4章，以最簡單的理論方法介紹了半導體的性質、晶體管、電子和空穴的注入及晶體管的物理理論等，為晶體管應用和初步設計考慮的基礎。第2部分為半導體理論的描述，包括8章，介紹了量子態、能帶和布里淵區、晶體中電子的速度和電流、電場和磁場中的電子和空穴、電導率和霍耳效應的初步理論、能態的分布和半導體的費密—狄拉克統計、電導率和霍耳效應的數學理論，以及晶體管的電子學應用等半導體基本理論，是對1、3部分起到承上啟下的作用。第3部分為量子力學基礎，共5章，包括引言，闡述了與電路理論分析有關的量子力學基礎，電子和空穴速度、電流和加速度理論，半導體的統計力學，以及空穴和電子的躍遷幾率理論等，以期用量子力學原理和統計力學深入處理半導體中的電子和空穴問題。本書是在一系列學術報告基礎上寫成的，具有貝爾電話實驗室研究工作的基本特點。作者強調半導體中電子和空穴，特別是空穴的行為，推斷並明確解釋其在晶體管電子學中的作用。本書對電子工程師、物理學家等提供了實用的理論和晶體管特性及應用的知識。

作者簡介

威·肖克利(William Shockley，1910— )，美國物理學家。1932年畢業於加利福尼亞理工學院。1936年獲麻省理工學院哲學博士學位。曾多年在貝爾電話實驗室從事研究工作。主要從事固體物理、半導體物理等方面的研究，其中1948年2月發明了面結合型晶體二極管和三極管，觸發了電子技術的一場革命。並與沃·豪·布拉坦、約·巴丁一起由於對半導體的研究和發現晶體管效應，共同獲得1956年諾貝爾物理學獎。主要著作有《半導體中的電子和空穴》等。

工具書

工具書是專供查找知識信息的文獻。它系統匯集某方面的資料，按特定方法加以編排，以供需要時查考使用。根據工具書的基本性質和使用功能，可以劃分為檢索性工具書和參考性工具書（美國工具書專家蓋茨稱其為控制-檢索型工具書和資料型工具書，Information:control and access，Sources of information)。另外還可以根據語種、學科內容、規模大小等標準進行劃分。

視頻

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