求真百科歡迎當事人提供第一手真實資料,洗刷冤屈,終結網路霸凌。

劉海軍檢視原始碼討論檢視歷史

事實揭露 揭密真相
前往: 導覽搜尋

劉海軍,1987年生,博士,合肥工業大學機械工程學院講師,碩士生導師。2016年10月畢業於大連理工大學機械工程學院機械製造及其自動化專業,獲得工學博士學位;2016年10月進入合肥工業大學機械工程學院工作。

人物履歷

教育經歷

2009/09-2016/10,大連理工大學,機械工程學院,博士,導師康仁科教授

2005/09-2009/06,山東大學,機械工程學院,學士

研究方向

精密加工理論與技術,測量方法與技術

開設課程

《互換性與測量技術》《精密、超精密加工與檢測》

近年的科研項目、專著與論文、專利、獲獎

科研項目

國家自然科學青年基金項目(51805135):基於硅片整體變形的磨削亞表面損傷定量評價方法研究,2019.01 - 2021.12.

中央高校基本科研業務費項目(JZ2017HGBZ0956),非線性域殘餘應力作用下的硅片變形規律研究,2017.05-2019.04。

獲獎情況

2019年09月,獲得合肥工業大學青年教師教學基本功比賽三等獎

2018年07月,獲得合肥工業大學機械工程學院優秀班主任稱號

學術成果

論文

Haijun Liu, Jiang Han, Xiaoqing Tian, Fangfang Dong, Shan Chen, Lei Lu*. Accurate determination of bifurcation points for ground silicon wafers considering anisotropy using FEM method [J]. Materials Research Express, 2019,6(9): 095906. (SCI 檢索號: 000474934500002)

Haijun Liu, Xianglong Zhu, Renke Kang, Zhigang Dong, Xiuyi Chen. Three-point-support method based on position determination of supports and wafers to eliminate gravity-induced deflection of wafers [J]. Precision Engineering, 2016,46:339-348. (SCI檢索號:000382344600032)

Haijun Liu, Zhigang Dong, Han Huang, Renke Kang, Ping Zhou. A new method for measuring the flatness of large and thin silicon substrates using a liquid immersion technique [J]. Measurement Science and Technology, 2015,26:115008. (SCI檢索號:000366349200009)

Haijun Liu, Zhigang Dong, Renke Kang, Ping Zhou, Shang Gao. Analysis of factors affecting gravity-induced deflection for large and thin wafers in flatness measurement using three-point-support method [J]. Metrology and Measurement Systems, 2015,22(4),531-546. (SCI檢索號:000367003000007)

劉海軍,朱祥龍,康仁科,董志剛. 反轉法消除硅片重力附加變形適用性研究[J]. 人工晶體學報. 2015, 44(12): 3439. (EI檢索號:20161202133309)

Haijun Liu, Renke Kang, Shang Gao, Ping Zhou, Yu Tong, Dongming Guo. Development of a measuring equipment for silicon wafer warp [C]. Advanced Materials Research, 2013,797:561-565. (EI檢索號:20134316904723)

發明專利

康仁科,董志剛,劉海軍,佟宇,郭東明. 一種薄基片變形的測量方法與裝置, 201310187846. 6 [P]. 發明類別:發明專利,授權日期:2016,01,06.

董志剛、康仁科、劉海軍、高尚朱祥龍周平陳修藝. 一種消除重力影響的薄基片變形測量方法, 201510496479.7 [P]. 發明類別:發明專利,公開日期:2015,11,18.[1]

參考資料