SiC·GaN功率半导体封装和可靠性评估技术查看源代码讨论查看历史

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《SiC·GaN功率半导体封装和可靠性评估技术》，菅沼，克昭 著，出版社： 机械工业出版社。

机械工业出版社成立于1950年，是建国后国家设立的第一家科技出版社，前身为科学技术出版社，1952年更名为机械工业出版社。机械工业出版社（以下简称机工社）由机械工业信息研究院作为主办单位，目前隶属于国务院国资委。

内容简介

本书重点介绍全球功率半导体行业发展潮流中的宽禁带功率半导体封装的基本原理和器件可靠性评价技术。书中以封装为核心，由熟悉各个领域前沿的专家详细解释当前的状况和问题。主要章节为宽禁带功率半导体的现状和封装、模块结构和可靠性问题、引线键合技术、芯片贴装技术、模塑树脂技术、绝缘基板技术、冷却散热技术、可靠性评估和检查技术等。尽管极端环境中的材料退化机制尚未明晰，书中还是总结设计了新的封装材料和结构设计，以尽量阐明未来的发展方向。本书对于我国宽禁带（国内也称为第三代）半导体产业的发展有积极意义，适合相关的器件设计、工艺设备、应用、产业规划和投资领域人士阅读。

作者介绍

何钧

现任职于重庆伟特森电子科技有限公司，1995年毕业于北京大学物理系，曾于Charactered Semiconductor（后归属于Global Foundries）, Hewlett Packard, Global Communication Semiconductor, Semisouth Lab.，北京泰科天润等企业多年从事硅集成电路、MEMS(喷墨打印头芯片)、砷化镓和氮化镓射频、磷化铟光电、碳化硅功率等化合物半导体器件的工艺制造以及工艺和设计研发工作。

许恒宇

博士，现任职于中国科学院微电子研究所，中国科学院大学研究生导师。2006年毕业于四川大学，同年留学日本，先后于日本的德岛大学、大阪大学和新日本无线株式会社开展碳化硅等宽禁带半导体器件研究。一直以来，主要从事碳化硅器件的仿真设计、工艺研发整合和可靠性失效机理分析等领域的工作。2011年归国后，致力于碳化硅器件在面向光伏逆变器、新能源汽车和智能电网应用领域提供技术服务和产品。