IGBT器件·物理设计与应用查看源代码讨论查看历史

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《IGBT器件·物理设计与应用》，[美] 贾扬.巴利加（B.Jayant Baliga） 著，韩雁，丁扣宝，张世峰 译，出版社： 机械工业出版社。

截至2022年，机械工业出版社年出版新书近2700种，年引进和输出版权总量近800种，产品横跨科技出版、教育出版、大众出版三大板块，覆盖机械、电工电子、汽车、建筑、计算机、经管、心理、生活、科普、艺术设计、文创等十多个专业领域，以及高等教育、职业教育、技能教育等不同教育层次。

内容简介

《IGBT器件:物理、设计与应用》从IGBT发明开始，介绍了IGBT的模型和基本工作原理、各种元胞结构、设计与制造工艺、封装与驱动、安全工作区等，并给出了在多达十几个行业中的具体应用，包括应用电路和参数指标等。本书内容深入浅出，适合电力电子、微电子、功率器件、功率IC设计与制造领域的研究人员、技术人员阅读，也可作为高等院校相关专业本科生和研究生的参考书。

作者介绍

B.Jayant Baliga博士，北卡罗来纳州立大学“杰出大学教授”，美国国家工程院院士，IEEE会士。

Baliga教授是国际公认的功率半导体器件领域的专家，发表了500多篇学术文章，拥有120项美国专利。

他在IGBT概念、发展和商业化方面的工作得到了美国奥巴马总统的认可，获得了2011年美国国家技术创新奖章——这是美国政府授予工程师的高荣誉，以及2014年IEEE荣誉勋章——电气工程领域的高荣誉。