林兰英（查看源代码讨论查看历史
| 林兰英 | |
|---|---|
| 出生 |
1918年2月7日 福建莆田 |
| 逝世 | 2003年3月4日（85岁） |
| 国籍 | 中华人民共和国 |
| 民族 | 汉族 |
| 教育程度 | 美国宾夕法尼亚大学 |
| 职业 | 教育科研工作者 |
| 知名于 | 1980年当选为中国科学院学部委员 |
| 知名作品 | 《林兰英论文选》 |
林兰英（1918年2月7日 — 2003年3月4日），福建莆田人，中国著名科学家，中国半导体材料之母、中国太空材料之母。
1940年毕业于福建协和大学（福建师范大学前身）物理系；
1955年获美国宾夕法尼亚大学博士学位；原中国科学院院士、中国科协副主席。长期从事半导体材料科学研究工作，是我国半导体科学事业开拓者之一。先后负责研制成我国第一根硅单晶、第一根无错位硅单晶、第一台高压单晶炉、第一片单异质结SOI外延材料、第一根GAP半晶、第一片双异质结SOI外延材料，为我国微电子和光电子学的发展奠定了基础；负责研制的高纯度汽相和液相外延材料达到国际先水平。她先后四次获中科院科技进步奖一等奖，两次获国家科学技术进步奖二、三等奖
1998年获霍英东成就奖，并受到中央三代领导人的关怀和接见。 [1]
主要成就
科研成就
科研综述 林兰英率先组织和领导了中国生长硅单晶、锑化铟、砷化镓和磷化镓单晶的研究，并首先获得了上述半导体单晶。为在中国率先研究半导体集成电路和光电子器件的单位提供了多种半导体单晶材料，并向全国推广上述单晶生长技术和相应的材料测试技术，为中国微电子学和光电子学的开创奠定了基础。参与组织领导4千位16千位大规模集成电路-MOS随机存储器的研制，1980、1982年两次获得中国科学院科技进步一等奖。她指导的高纯砷化镓液相外延和气相外延材料研究达到国际先进水平，其中高纯砷化镓气相外延研究至今仍然保持着采用卤化系统的国际最高水平。1987年首次在世界上在微重力条件下从熔体中生长砷化镓单晶获得成功。以后又相继四次在中国返回式卫星上生长生长砷化镓单晶，在空间晶体生长、材料物理研究及器件应用等方面取得诸多科研成果。利用空间生长的半绝缘砷化镓制造的微波低噪声场效应晶体管和模拟开关集成电路的特性及优质品率提高 。
- 1958年秋天，中国第一根硅单晶诞生，长8厘米、直径5.08厘米的圆柱体硅单晶。
- 1961年深秋，由林兰英主持设计加工的中国第一台开门式硅单晶炉制造成功。
- 1962年春天，正式启动拉制工作，中国第一根无位错的硅单晶拉制成功。
- 1963年，东京举办国际工业博览会，日本特邀这台硅单晶炉赴东京参展，后中国生产了900多台，远销东欧诸国。
- 1962年10月，一个半导体学术会议上，林兰英拿出了砷化镓单晶。经鉴定，砷化镓单晶的电子迁移率达到当时国际上最高水平。
- 1964年，由她参与的中国第一只砷化镓二极管激光器问世。
“文革”开始那年，她还与中国第一位女院士林巧稚一同登上天安门城楼，事后便跌于“文革”的沼泽中。
- 1973年，还在“文革”风雨中的她，第一次提出用汽相外延和液相外延法制取砷化镓单晶，后来，砷化镓汽相外延电子迁移率连续4年居国际最高水平，至今还处于国际领先地位。
80年代，她开创性地提出在太空微重力条件下拉制砷化镓的设想。
- 1987年8月，中国终于在第九颗返回式人造卫星上拉制出了第一块高质量低缺陷的砷化镓单晶。
- 1982年，高纯LPEGaAs生长及性质，晶体生长杂志，
- 1989年，太空GaAs制备与性质，材料科学文集
- 1993年，林兰英论文选，福建科学技术出版社
承担项目
- 1959-1964，直拉硅和区熔硅晶体生长，主持
- 1977-1980，高纯VPE和LPEGaAs外延材料生长，主持
- 1985-1990，LCSSI-GaAs晶体生长，主持
- 1987-1994，空间GaAs材料生长和性质，主持
科研成果奖励
林兰英先后四次获中国科学院科技进步奖一等奖，两次获国家科学技术进步奖二、三等奖。
荣誉表彰
| 时间 | 荣誉/表彰 |
| 1980年 | 中国科学院学部委员 |
| 1996年 | 何梁何利基金科学与技术进步奖 |
| 1998年 | 霍英东成就奖 |
人物评价
林兰英是中国半导体材料科学的奠基人和开拓者，她带动同事一起创造了多个“新中国的第一”，受到全世界科学家关注，在砷化镓晶体太空生长和性质研究诸方面取得了举世瞩目的成就，被誉为“中国太空材料之母” 。（新浪新闻评） [2]