納米集成電路FinFET器件物理與模型檢視原始碼討論檢視歷史

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《納米集成電路FinFET器件物理與模型》，[美] 薩馬·K.薩哈（Samar K. Saha） 著，丁扣寶 譯，出版社： 機械工業出版社。

機械工業出版社成立於1950年，是建國後國家設立的第一家科技出版社，前身為科學技術出版社，1952年更名為機械工業出版社。機械工業出版社（以下簡稱機工社）由機械工業信息研究院作為主辦單位，目前隸屬於國務院國資委。

內容簡介

集成電路已進入納米世代，為了應對集成電路持續縮小面臨的挑戰，鰭式場效應晶體管（FinFET）應運而生，它是繼續縮小和製造集成電路的有效替代方案。《納米集成電路FinFET器件物理與模型》講解FinFET器件電子學，介紹FinFET器件的結構、工作原理和模型等。

《納米集成電路FinFET器件物理與模型》主要內容有：主流MOSFET在22nm節點以下由於短溝道效應所帶來的縮小限制概述；基本半導體電子學和pn結工作原理；多柵MOS電容器系統的基本結構和工作原理；非平面CMOS工藝中的FinFET器件結構和工藝技術；FinFET基本理論；FinFET小尺寸效應；FinFET泄漏電流；FinFET寄生電阻和寄生電容；FinFET工藝、器件和電路設計面臨的主要挑戰；FinFET器件緊湊模型。

《納米集成電路FinFET器件物理與模型》內容詳實，器件物理概念清晰，數學推導詳盡嚴謹。《納米集成電路FinFET器件物理與模型》可作為高等院校微電子學與固體電子學、電子科學與技術、集成電路科學與工程等專業的高年級本科生和研究生的教材和參考書，也可供相關領域的工程技術人員參考。

作者介紹

薩馬·K.薩哈（Samar K.Saha）從印度Gauhati大學獲得物理學博士學位，在美國斯坦福大學獲得工程管理碩士學位。目前，他是加利福尼亞州聖塔克拉拉大學電氣工程系的兼職教授，也是Pros-picient Devices的首席研究科學家。自1984年以來，他在美國國家半導體、LSI邏輯、德州儀器、飛利浦半導體、Silicon Storage Technology、新思、DSM Solutions、Silterra USA和Su-Volta擔任各種技術和管理職位。他還曾在南伊利諾伊大學卡本代爾分校、奧本大學、內華達大學拉斯維加斯分校以及科羅拉多大學科羅拉多泉分校擔任教員。他撰寫了100多篇研究論文。他還撰寫了一本書Compact Models for Integrated Circuit Design: Conventional Transistors and Beyond（CRC出版社，2015年）；撰寫了關於TCAD的書Technology Computer Aided Design: Simulation for VLSI MOSFET（C.K.Sarkar主編，CRC出版社，2013年）中的一章「Introduction to Technology Computer-Aided Design」；擁有12項美國專利。他的研究興趣包括納米器件和工藝體系結構、TCAD、緊湊型建模、可再生能源器件、TCAD和研發管理。

Saha博士曾擔任美國電氣電子工程師學會（IEEE）電子器件分會（EDS）2016～2017年會長，目前擔任EDS高級前任會長、J.J.Ebers獎委員會主席和EDS評審委員會主席。他是美國電氣電子工程師學會（IEEE）會士、英國工程技術學會（IET）會士、IEEEEDS傑出講師。此前，他曾擔任EDS的前任初級會長；EDS頒獎主席；EDS評審委員會成員；EDS當選會長；EDS出版部副總裁；EDS理事會的當選成員；IEEEQuestEDS主編；EDS George Smith和Paul Rappaport獎主席；5區和6區EDS通訊編輯；EDS緊湊模型技術委員會主席；EDS北美西部區域/分會小組委員會主席；IEEE會議出版委員會成員；IEEETAB期刊委員會成員；聖克拉拉谷舊金山EDS分會財務主管、副主席、主席。