變更

1935年后贝尔实验室的一批科学家转向研究Si材料，1940年，用[[真空]]熔炼方法拉制出多晶Si棒并且掌握了掺入Ⅲ、Ⅴ族杂质元素来制造P型和N型多晶Si的技术。还用生长过程中掺杂的方法制造出第一个Si的PN结，发现了Si中杂质元素的分凝现象，以及施主和受主杂质的补偿作用。[13]

N型半导体（N为Negative的字头，由于[[电子]]带负[[电荷]]而得此名）：掺入少量杂质[[磷]]元素（或锑元素）的硅晶体（或锗晶体）中，由于[[半导体]][[原子]]（如硅原子）被杂质原子取代，磷原子外层的五个外层电子的其中四个与周围的半导体原子形成[[共价键]]，多出的一个电子几乎不受束缚，较为容易地成为自由电子。于是，N型半导体就成为了含电子浓度较高的半导体，其导电性主要是因为自由电子导电。 [1]

P型半导体（P为Positive的字头，由于[[空穴]]带正电而得此名）：掺入少量杂质[[硼]]元素（或铟元素）的硅晶体（或锗晶体）中，由于半导体原子（如硅原子）被杂质原子取代，硼原子外层的三个外层电子与周围的半导体原子形成共价键的时候，会产生一个“空穴”，这个空穴可能吸引束缚电子来“填充”，使得硼原子成为带负电的离子。这样，这类半导体由于含有较高浓度的“空穴”（“相当于”正电荷），成为能够导电的物质。 [2]