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晶闸管
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=='''结构介绍'''==
[[File:20121112044541991973517.jpg|缩略图|200px|[https://image.so.com/view?q=%E6%99%B6%E9%97%B8%E7%AE%A1&src=tab_www&correct=%E6%99%B6%E9%97%B8%E7%AE%A1&ancestor=list&cmsid=e38d3cf35254dbe1ad776187fca99536&cmran=0&cmras=6&cn=0&gn=0&kn=50&fsn=130&adstar=0&clw=246#id=37e4ed0e4a755e2b736e8162b83f39a3&currsn=0&ps=95&pc=95 原图链接][https://tech.hqew.com/fangan_757313 图片来源于华强电子网]]]
晶闸管是由四层[[半导体]]构成的。晶闸管的结构是由四层半导体材料叠成三个[[PN结]]，并在对应的半导体材料上引出了三个电极。这三个电极分别称为：A-阳极，G-控制极，K-阴极。<ref>[https://tech.hqew.com/circuit_1988307 晶闸管的结构和符号],华强电子网，2017-10-24</ref>
=='''导通与关断的条件'''==
晶闸管T在工作过程中，它的阳极A和阴极K与[[电源]]和负载连接，组成晶闸管的主电路，晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接，组成晶闸管的控制电路。
可控硅一经触发导通后，由于循环反馈的原因，流入BG2基极的电流已不只是初始的Ib2 ，而是经过BG1、BG2放大后的电流（β1*β2*Ib2），这一电流远大于Ib2，足以保持BG2的持续导通。此时触发信号即使消失，可控硅仍保持导通状态，只有断开电源E或降低E的输出电压，使BG1、BG2 的集电极电流小于维持导通的最小值时，可控硅方可关断。
[[File:T011e6488af28125369.jpg|缩略图|250px|[https://image.so.com/view?q=%E6%99%B6%E9%97%B8%E7%AE%A1&src=srp&correct=%E6%99%B6%E9%97%B8%E7%AE%A1&ancestor=list&cmsid=92b9089c5d2ff86c604eaf960a35ed6a&cmran=0&cmras=6&cn=0&gn=0&kn=50&fsn=130&adstar=0&clw=246#id=45323fd29397b6915db88900b1a61b07&currsn=0&ps=95&pc=95 原图链接][http://www.007swz.com/Professionlist/kekonggui/19 图片来源于商务站网]]]
当然，如果E极性反接，BG1、BG2受到反向电压作用将处于截止状态。这时，即使输入触发信号，可控硅也不能工作。反过来，E接成正向，而触动发信号是负的，可控硅也不能导通。另外，如果不加触发信号，而正向阳极电压大到超过一定值时，可控硅也会导通，但已属于非正常工作情况了。
工作电流并不超过可控硅额定电流的情况下而发生的热击穿。特征：电子元器件表面有烧焦现象，痕迹特征是芯片出现坑洞。注意环境温度，保持可控硅与散热器之间的接触面良好。 <ref>[http://www.huanxinwei.com/cn/new/new-81-952.html 可控硅基础知识],环昕微实业网</ref>
=='''相关视频'''==
1、晶闸管(可控硅) 的工作原理
{{#ev:youku|XMzc4MjA5MTE0OA|440|inline|晶闸管(可控硅) 的工作原理 |frame}}<div style="float:right; margin:-10px 0 0 20px;">
2、单向晶闸管的识别
{{#ev:youku|XMTM1OTcyNzQ1Ng|440|inline|单向晶闸管的识别 |frame}}</div>
== '''參考來源''' ==
{{Reflist}}
[[Category:330 物理學總論]]