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'''晶闸管'''又称可控硅是可控硅[[ 硅 整流 ]] 元件]] 的简称，是一种具有三 个PN 个[[PN 结 ]] 的四层结构的大 [[ 功率 ]][[ 半导体 ]] 器件，一般由[[ 两晶闸管反向连接]] 而成。它的功能不仅是整流，还可以用作无触点开关的快速接通或切断;实现将 [[ 直流电 ]] 变成交流电的逆变;将一种频率的[[交流电]]变成另一种 [[ 频率 ]] 的 [[ 交流电 ]] 等等。

可控硅和其它半导体器件一样，有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现，使半导体技术从弱电领域进入了[[ 强电领域]] ，成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。 目前可控硅在自动控制、机电应用、工业电气及家电等方面都有广泛的应用。<ref>[https://www.360kuai.com/pc/9f81f9f5b46ed07fb?cota=4&kuai_so=1&tj_url=so_rec&sign=360_57c3bbd1&refer_scene=so_1 可控硅的基本工作原理及在调光器中的使用],快资讯网，2019-05-24</ref>

晶闸管是由四层 [[ 半导体 ]] 构成的。晶闸管的结构是由四层半导体材料叠成三 个PN 个[[PN 结 ]] ，并在对应的半导体材料上引出了三个电极。这三个电极分别称为：A-阳极，G-控制极，K-阴极。<ref>[https://tech.hqew.com/circuit_1988307 晶闸管的结构和符号],华强电子网，2017-10-24</ref>

可控硅有三个极----阳极(A)、阴极(C)和控制极(G)，管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构，共有三个PN 结，与只有一个PN结的硅整流 [[ 二极管 ]] 在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制极的引入，为其发挥“以小控大”的优异控制特性奠定了基础。可控硅应用时，只要在控制极加上很小的 [[ 电流 ]] 或 [[ 电压 ]] ，就能控制很大的阳极电流或电压。目前已能制造出电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小 [[ 功率 ]] 可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。

晶闸管T在工作过程中，它的阳极A和阴极K与 [[ 电源 ]] 和负载连接，组成晶闸管的主电路，晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接，组成晶闸管的控制电路。

晶闸管为半控型电力 [[ 电子 ]] 器件，它的工作条件如下:<ref>[http://www.elecfans.com/tags/%E6%99%B6%E9%97%B8%E7%AE%A1/ 晶闸管],电子发烧友网</ref>

1. 晶闸管承受反向阳极 [[ 电压 ]] 时，不管门极承受何种电压，晶闸管都处于反向阻断状态。

4. 晶闸管在导通情况下，当主回路电压(或 [[ 电流]])减小到接近于零时，晶闸管关断。

可控硅有三个极----阳极（A）、阴极（C）和控制极（G），管芯是P型 [[ 导体 ]] 和N型导体交迭组成的四层结构，共有三 个PN 个[[PN 结 ]] ，与只有一个PN结的硅整流二极管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制极的引入，为其发挥“以小控大”的优异控制特性奠定了基础。可控硅应用时，只要在控制极加上很小的电流或电压，就能控制很大的阳极 [[ 电流 ]] 或 [[ 电压 ]] 。 我们可以把从阴极向上数的第一、二、三层看面是一只NPN型号晶体管，而二、三、四层组成另一只PNP型晶体管。其中第二、第三层为两管交迭共用。

晶闸管按其封装形式可分为 [[ 金属 ]] 封装晶闸管、塑封晶闸管和陶瓷封装晶闸管三种类型。其中，金属封装晶闸管又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封晶闸管又分为带散热片型和不带散热片型两种。

晶闸管按电流容量可分为大 [[ 功率 ]] 晶闸管、中功率晶闸管和小功率晶闸管三种。通常，大功率晶闸管多采用金属壳封装，而中、小功率晶闸管则多采用塑封或 [[ 陶瓷 ]] 封装。

晶闸管按其关断 [[ 速度 ]] 可分为普通晶闸管和高频（快速）晶闸管。

1、断态重复峰值 [[ 电 压UDRM 压]]UDRM

4、维持 [[ 电 流IH流]]IH

在规定的环境温度和控制极断路的条件下，维持元件继续导通的最小电流称为维持电流IH 。一般为几十毫安~一百多毫安，其数值与元件的 [[ 温度 ]] 成反比，在120摄氏度时维持电流约为25摄氏度时的一半。当晶闸管的正向电流小于这个电流时，晶闸管将自动关断。

[[ 万用表 ]] 选电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向 [[ 电阻 ]] 直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。此时将黑表笔接已判断了的阳极A，红表笔仍接阴极K。此时万用表指针应不动。用短线瞬间短接阳极A和控制极G，此时万用表电阻挡指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。如阳极A接黑表笔，阴极K接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。<ref>[http://www.elecfans.com/yuanqijian/jingzhaguang/20110710205774.html 晶闸管(可控硅)检测方法],电子发烧友网，2011年07月10日</ref>

1、若用于交直流 [[ 电压 ]] 控制、可控整流、交流调压、逆变电源、开关 [[ 电源 ]] 保护电路等，可选用普通单向晶闸管。

3、若用于交流 [[ 电动机 ]] 变频调速、斩波器、逆变电源及各种电子开关电路等，可选用门极关断晶闸管。

4、若用于锯齿波发生器、长时间延时器、过电压保护器及大 [[ 功率 ]] 晶体管触发电路等，可选用BTG晶闸管。

5、若用于电磁灶、电子 [[ 镇流器 ]] 、 [[ 超声波 ]] 电路、超导磁能储存系统及开关电源等电路，可选用逆导晶闸管。

可控硅不能承受 [[ 电压 ]] 而损坏，可控硅对过压的承受能力几乎没有时间的，即使在几毫秒的短时间内过压也会被击穿。过压击穿特征：芯片中有一个光洁的小孔。检查可控硅两端RC吸收回路是否有烧坏或失效的，即可避免干扰脉冲所引起的瞬间过压。

[[ 电流 ]] 超过额定电流，并在可控硅芯片内部产生热效应，使芯片 [[ 温度 ]] 升高，失效且不能恢复。过流击穿特征：电子元器件表面有烧焦现象，痕迹特征是芯片出现坑洞。选择可控硅耐压2~3倍。