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赤崎勇
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[[File: LED_v2.jpg |缩略图|right|320px|[https://www.guokr.com/article/439283/ 圖1:2014年诺贝尔奖奖项解读图示。圖片來自 nobelprize.org 制图:果壳网 ]]]
'''赤崎勇'''(日語:'''あかさき いさむ''',英語:'''Akasaki Isamu''',{{bd|1929年|1月30日}}),[[日本]][[化學工程]]學家 , 。* 曾任[[松下電器]]研究員,現任[[名城大學]]終身教授、[[名古屋大學]]特別教授及名譽教授。* [[美國國家工程院]]外籍院士。[[:Category:IEEE_Fellow|IEEE Fellow]]。* 獲得[[紫綬褒章]]、[[日本文化勛章|文化勲章]]、[[旭日章|勳三等旭日中綬章]]表彰。[[文化功勞者]]。
== 早年生活與教育 ==1929年1月30日,赤崎勇出生於'''主要成就 -- [[ 日本藍色 LED]][[鹿兒島縣]],幼時曾有躲避[[美軍]]戰機的經歷,終身反戰。1952年[[京都大學]]理學部畢業,1964年獲得工學博士([[名古屋大學]])學位。其後曾服務於神戶工業(現[[富士通天]])、名古屋大學、[[松下電器]]等單位。 '''<ref name="Nobel_Phys_2014_En"/><ref name="Nobel_Phys_2014_Ch1"/><ref name= 研究 "Nobel_Phys_2014_Ch2"/>==* 在1960年代末, 他 [[赤崎勇]] 开始工作于[[氮化鎵]](GaN)基蓝 光LED 光[[LED]] 。一步一步,他改进 的GaN 的[[GaN 晶体 ]] 质量和[[電子元件|器件]]结构<ref>Y. Ohki, Y. Toyoda, H. Kobayasi and I. Akasaki: “Fabrication and properties of a practical blue-emitting GaN m-i-s diode. Inst. Phys. Conf. Ser. No. 63, pp. 479-484 (Proc. of the 9th Intl. Symposium on Gallium Arsenide and Related Compounds, 1981).</ref>,在松下研究所东京公司({{lang|en|MRIT}})那里,他决定采用[[有机金属化学气相沉积法]]作为首选的GaN生长方法。
1986年,赤崎勇以低溫沉積(AlN)氮化鋁緩衝層技術成功生產高品質的GaN晶體。1989年,他與門生[[天野浩]]完成p型GaN的結晶化,首次觀測到p型材料的劇烈發光,並以GaN的pn構成完成了[[藍色發光二極管]]。同一時期,赤崎的學生也包括日後的中國知名企業家[[唐駿]]<ref>[http://t.qq.com/juntang?pagesetHome=0 唐骏的微博_騰訊微博]</ref>。