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晶闸管
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=='''结构介绍'''==
[[File:20121112044541991973517.jpg|缩略图|200px|[https://image.so.com/view?q=%E6%99%B6%E9%97%B8%E7%AE%A1&src=tab_www&correct=%E6%99%B6%E9%97%B8%E7%AE%A1&ancestor=list&cmsid=e38d3cf35254dbe1ad776187fca99536&cmran=0&cmras=6&cn=0&gn=0&kn=50&fsn=130&adstar=0&clw=246#id=37e4ed0e4a755e2b736e8162b83f39a3&currsn=0&ps=95&pc=95 原图链接][https://tech.hqew.com/fangan_757313 图片来源于华强电子网]]]
晶闸管是由四层[[半导体]]构成的。晶闸管的结构是由四层半导体材料叠成三个[[PN 结]]，并在对应的半导体材料上引出了三个电极。这三个电极分别称为：A-阳极，G-控制极，K-阴极。<ref>[https://tech.hqew.com/circuit_1988307 晶闸管的结构和符号],华强电子网，2017-10-24</ref>
可控硅有三个极----阳极(A)、阴极(C)和控制极(G)，管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构，共有三个PN 结，与只有一个PN结的硅整流[[二极管]]在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制极的引入，为其发挥“以小控大”的优异控制特性奠定了基础。可控硅应用时，只要在控制极加上很小的[[电流]]或[[电压]]，就能控制很大的阳极电流或电压。目前已能制造出电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小[[功率]]可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。