變更

}}

== 教育背景 ==

# 1950-07--1952-07 北方交通大学唐山工学院冶金工程系 学士

* 1991年，当选为中国科学院学部委员（院士）。

* 1992年，当选为中共第十四届中央委员会候补委员。

== 研究方向 ==

60年代负责国防重点任务甲种分离膜加工成形部分工作，对技术路线进行优选决策。70年代以后在离子束与固体相互作用以及离子束材料改性、合成、加工和分析等方面进行了系统的研究工作。独创用二氧化碳激光背面辐照获得了离子注入损伤的增强退火效应。用全离子注入技术研制成中国第一块120门砷化镓门阵列电路，用反应离子束加工成中国第一批闪光全息光栅。研究SOI材料并制成CMOS／SOI电路。发展了离子束增强沉积技术并合成了氮化硅、氮化钛薄膜。

== 科研成果 ==

# 半导体离子注入：研究了离子注入硅的损伤及其退火行为，独创性地提出了用二氧化碳激光从背面照射对离子注入半导体进行退火及合金化的新方法，这项工作获中国科学院1982年重大科技成果二等奖。研究了用双离子注入的办法在磷化铟中得到了最高的载流子浓度及掺杂电激活率，并用全离子注入技术率先研制出国内第一块120门砷化镓门阵列电路和高速分频器，获中国科学院1990年科技进步奖一等奖。

# 2008年，被国际半导体设备材料协会SEMI授予中国半导体产业开拓奖。

# 2015年11月，2015年上海科普教育创新奖，邹世昌院士的“继承和发扬‘两弹一星’精神，激励广大青年投身祖国科研一线”项目获得2015年度“科普贡献奖（个人）”一等奖<ref>[http://www.xinhuanet.com/local/2015-11/09/c_128406071.htm 三位院士获科普奖] 新华网</ref>。

== 参考资料 ==

{{Reflist}}