鄒世昌
鄒世昌 材料科學家。原籍江蘇太倉，1931年7月27日生於上海。1952年畢業於唐山交通大學冶金工程系。1958年獲蘇聯莫斯科有色金屬學院副博士學位。中國科學院上海冶金研究所研究員。1991年當選為中國科學院院士（學部委員）。[1]
| 鄒世昌 | |
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鄒世昌 | |
| 出生 | 1931年7月27日 |
| 國籍 | 中國 |
| 籍貫 | 江蘇蘇州太倉市 |
| 民族 | 漢 |
| 母校 | 唐山交通大學冶金工程系 |
| 職業 | 教學科研工作者 |
| 研究領域 |
離子束與固體材料的相互作用及其在半導體材料與器件方面的應用 |
目錄
教育背景
- 1950-07--1952-07 北方交通大學唐山工學院冶金工程系 學士
- 1954-02--1958-02 蘇聯莫斯科有色金屬學院學習 副博士
人物生平
- 1931年7月27日，鄒世昌出生於上海市，原籍江蘇蘇州太倉市。
- 1949年初，鄒世昌從上海格致中學畢業後考入了由申新紗廠創辦的中國紡織工學院（1999年更名為東華大學）學習。
- 1950年，進入交通大學唐山工學院（即唐山交通大學，現西南交通大學）冶金工程系學習。
- 1952年，畢業後進入中國科學院上海冶金陶瓷研究所工作，擔任研究實習員。
- 1953年，進入北京俄語專修學校學習。
- 1954年，赴蘇留學，前往莫斯科有色金屬學院學習（至1958年）。
- 1958年，在前蘇聯莫斯科有色金屬學院獲副博士學位，之後回國進入中國科學院上海冶金研究所（2001年更改為中國科學院上海微系統與信息技術研究所）工作，先後擔任助研、副研究員，室主任、大組長、研究員、所長。
- 1979年，任西德慕尼黑弗朗霍夫學會固體技術研究所客座教授（-1980年）。
- 1986年，當選為中共上海市第五屆委員會候補委員。
- 1991年，當選為中國科學院學部委員（院士）。
- 1992年，當選為中共第十四屆中央委員會候補委員。
研究方向
60年代負責國防重點任務甲種分離膜加工成形部分工作，對技術路線進行優選決策。70年代以後在離子束與固體相互作用以及離子束材料改性、合成、加工和分析等方面進行了系統的研究工作。獨創用二氧化碳激光背面輻照獲得了離子注入損傷的增強退火效應。用全離子注入技術研製成中國第一塊120門砷化鎵門陣列電路，用反應離子束加工成中國第一批閃光全息光柵。研究SOI材料並製成CMOS／SOI電路。發展了離子束增強沉積技術併合成了氮化硅、氮化鈦薄膜。
科研成果
- 半導體離子注入：研究了離子注入硅的損傷及其退火行為，獨創性地提出了用二氧化碳激光從背面照射對離子注入半導體進行退火及合金化的新方法，這項工作獲中國科學院1982年重大科技成果二等獎。研究了用雙離子注入的辦法在磷化銦中得到了最高的載流子濃度及摻雜電激活率，並用全離子注入技術率先研製出國內第一塊120門砷化鎵門陣列電路和高速分頻器，獲中國科學院1990年科技進步獎一等獎。
- SOI技術：對SOI技術進行了系統的研究，用離子注入和激光再結晶方法合成了SOI新材料。解決了激光再結晶SOI 材料適於製作電路的表面質量問題，獲得一項發明專利。在深入分析SOI材料光學效應的基礎上，提出了一套非破壞性的表徵技術，進而研製成功新型的CMOS/SOI電路。該項目獲中國科學院1990年自然科學獎二等獎。
- 離子束微細加工：研究了低能離子束轟擊材料表面引起的濺射、損傷和貌相變化等物理現象，並用反應離子束微細加工在石英基片上刻蝕出中國第一批實用閃耀全息光柵，閃耀角可控，工藝重複穩定，衍射效率大為提高，這是光柵製造技術的重大突破，獲中國科學院1987年科技進步二等獎與1989年國家科技進步獎三等獎。
- 離子束增強沉積：負責國家「863高技術材料領域材料表面優化」專題，建立並掌握了可控、可預置和可重複的離子束增強沉積技術，合成了與基體有很強粘附力，低摩擦係數和高耐磨性的氮化硅、氮化鈦薄膜。
主要獎項
鄒世昌獲國家發明一等獎和中國科學院自然科學、科技進步等14項獎勵，發表文章200多篇。
- 1982年，獲中國科學院重大科技成果二等獎
- 1987年，獲中國科學院1987年科技進步二等獎
- 1989年，獲國家科技進步獎三等獎
- 1989年，被評為上海市勞動模範。
- 1990年，獲中國科學院科技進步獎一等獎
- 2003年，被評為上海浦東開發建設傑出人才
- 2008年，被國際半導體設備材料協會SEMI授予中國半導體產業開拓獎。
- 2015年11月，2015年上海科普教育創新獎，鄒世昌院士的「繼承和發揚『兩彈一星』精神，激勵廣大青年投身祖國科研一線」項目獲得2015年度「科普貢獻獎（個人）」一等獎[2]。