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唐叔贤
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材料表面科学与技术专家。1942年4月21日出生于香港，原籍上海。1964年毕业于香港大学理学院，1969年获加州大学博士学位。南方科技大学教授，香港城市大学讲座教授。2001年当选为中国科学院院士。
长期从事材料表面科学与技术研究，发展了固体中电子的多重散射理论体系，对低能电子衍射（LEED）、光电子衍射(PHD)、高分辨电子能量损失谱(HREELS)，以及反射高能电子衍射(RHEED)等技术测量结果的定量分析上作出了创造性的系统贡献。在低能电子全息成像研究上，把全息术和低能电子衍射结合起来，将实验得到的低能电子衍射图案做简单的傅立叶变换即可得到所测物质表面的原子三维结构。提出新的反转低能电子衍射公式，也能得到所测系统的表面原子三维结构。在先进材料生长上开展了氮化镓在碳化硅衬底上的生长研究，并探讨了氮化镓的异质生长机制。
长期从事材料表面科学与技术研究，发展了固体中电子的多重散射理论体系，对低能电子衍射（LEED）、光电子衍射(PHD)、高分辨电子能量损失谱(HREELS)，以及反射高能电子衍射(RHEED)等技术测量结果的定量分析上作出了创造性的系统贡献。在低能电子全息成像研究上，把全息术和低能电子衍射结合起来，将实验得到的低能电子衍射图案做简单的傅立叶变换即可得到所测物质表面的原子三维结构。提出新的反转低能电子衍射公式，也能得到所测系统的表面原子三维结构。在先进材料生长上开展了氮化镓在碳化硅衬底上的生长研究，并探讨了氮化镓的异质生长机制。