《'''氮化物半导体技术·功率电子和光电子器件'''》，出版社： 机械工业出版社，ISBN：9787111728733。 机械工业出版社成立于1950年，是建国后国家设立的第一家科技[[出版社]]，前身为科学技术出版社，1952年更名为机械工业出版社<ref>[https://www.maigoo.com/maigoo/6296cbs_index.html 中国十大出版社-出版社品牌排行榜]，买购网</ref>。机械工业出版社（以下简称机工社）由[#重定向 [ 机械工业信息研究院]]作为主办单位，目前隶属于国务院国资委<ref>[http://www.cmpbook.com/about 企业简介]，机械工业出版社</ref>。 ==内容简介== 本书概述了 氮化物半导体 及其在功率电子和光电子器件中的应用，解释了这些材料的物理特性及其生长方法，详细讨论了它们在高电子迁移率晶体管、垂直型功率器件、发光二极管、激光二极管和垂直腔面发射激光器中的应用。本书进一步研究了这些材料的可靠性问题，并提出了将它们与2D材料结合用于新型高频和高功率器件的前景。 本书具有较好的指导性和借鉴性，可作为功率电子和光电子器件领域研究人员和工程人员的参考用书。 ==目录== 序 原书前言 原书致谢 第1章[[氮化镓]]材料的性能及应用 11历史背景 12氮化物的基本性质 121微观结构及相关问题 122光学性质 123电学性质 124AlGaN/GaN异质结构中的二维电子气（2DEG） 13GaN基材料的应用 131光电子器件 132功率电子器件和高频电子器件 14总结 致谢 参考[[文献]] 第2章GaN基材料：衬底、金属有机物气相外延和量子阱 21引言 22块体GaN生长 221氢化物气相外延（HVPE） 222钠助溶剂生长法 223氨热生长 23金属有机物气相外延生长 231氮化物MOVPE基础知识 232异质衬底上外延 233通过ELOG、FACELO等方法减少缺陷 234原位ELOG沉积SiN 235氮化物掺杂 236其他二元和三元氮化物生长 24InGaN量子阱的生长及分解 241InGaN量子阱在极化、非极化以及半极化GaN衬底 上的生长 242铟含量分布波动的原因 243InGaN量子阱的均质化 244量子阱的分解 25总结 致谢 参考文献 第3章毫米波用GaN基HEMT 31引言 32GaN毫米波器件的主要应用 321高功率应用 322宽带放大器 3235G 33用于毫米波的GaN材料应用设计 331与其他射频器件的材料性能对比 332射频器件中的特殊材料 34毫米波GaN器件的设计与制造 341各种GaN器件关键工艺步骤 342先进的毫米波GaN晶体管 35MMIC功率放大器概述 351基于ⅢN器件的MMIC 技术 352从Ka波段到D波段频率的MMIC示例 36总结 参考文献 第4章常关型GaN HEMT技术 41引言 411AlGaN/GaN HEMT阈值电压 42GaN HEMT“共源共栅”结构 43“真正的”常关型HEMT技术 431凹栅HEMT 432氟技术HEMT 433凹栅混合MIS HEMT 434p型GaN栅HEMT 44其他方法 45总结 致谢 参考文献 第5章垂直型GaN功率器件 51引言 52用于功率转换的垂直型GaN器件 53垂直型GaN晶体管 531电流孔径垂直电子晶体管（CAVET） 532垂直型GaN MOSFET 54GaN高压二极管 55GaN pn二极管雪崩电致发光 56GaN的碰撞电离系数 57总结 致谢 参考文献 第6章GaN电子器件可靠性 61引言 611GaN HEMT的可靠性测试和失效分析 62射频应用中GaN HEMT的可靠性 621AlGaN/GaN HEMT 622InAlN/GaN HEMT 623射频GaN HEMT中的热问题 63GaN · 功率 开关器件的可靠性和鲁棒性 631掺碳GaN缓冲层中的寄生效应 632p型GaN开关HEMT中的栅极退化 633GaN MIS HEMT中阈值电压不稳定性 64总结 致谢 参考文献 第7章发光二极管 71引言 72最先进的GaN发光二极管 721蓝光二极管 722绿光二极管 73GaN白光LED：制备方法和特性 731单片发光二极管 732磷光体覆盖的发光二极管 74AlGaN深紫外LED 741生长高质量AlN和提高内量子效率（IQE） 742基于AlGaN的UVC LED 743提高光提取效率（LEE） 75总结 致谢 参考文献 第8章分子束外延生长激光二极管 81引言 82等离子体辅助分子束外延（PAMBE）ⅢN族材料的生长 原理 821N通量在高效InGaN量子阱材料中的作用 83宽InGaN量子阱——超越量子约束的斯塔克效应 84AmmonoGaN衬底制备的长寿命激光二极管 85隧道结激光二极管 851垂直互连的激光二极管堆 852分布式反馈激光二极管 86总结 致谢 参考文献 第9章边缘发射激光二极管和超辐射发光二极管 91激光二极管的历史与发展 911光电子学背景 912GaN技术突破 913氮化物激光二极管的发展 92分布式反馈激光二极管 93超辐射发光二极管 931超辐射发光二极管的发展历史 932基本SLD特性 933SLD优化面临的挑战 94半导体光放大器 95总结 参考文献 第10章绿光和蓝光垂直腔面发射激光器 101引言 1011GaN VCSEL的特性和应用 1012GaN VCSEL的简史和现状 1013不同DBR结构GaN VCSEL 102不同器件结构的散热效率 1021器件热分布模拟 1022热阻Rth对谐振腔长度的依赖性 103基于InGaN量子点的绿光VCSEL 1031量子点相对于量子阱的优势 1032InGaN量子点的生长及其光学特性 1033VCSEL的制备过程 1034绿光量子点VCSEL特性 104基于蓝光InGaN量子阱局域态和腔增强发光效应的 绿光VCSEL 1041谐振腔效应 1042谐振腔增强的绿光VCSEL的特性 105基于量子阱内嵌量子点有源区结构的双波长激射 1051量子阱内嵌量子点（QDinQW）结构特性 1052VCSEL激射特性 106具有不同横向光限制的蓝光VCSEL 1061折射率限制结构的设计 1062LOC结构VCSEL的发光特性 107总结 参考文献 第11章新型 电子和光 电应用的2D材料与氮化物集成 111引言 112用氮化物半导体制造2D材料异质结构 1121转移在其他衬底上生长的2D材料 11222D材料在Ⅲ族氮化物上的直接生长 1123氮化物半导体薄膜的2D材料生长 113基于2D材料/GaN异质结的 电子器件 1131基于MoS2/GaN异质结的带间隧道二极管 1132具有Gr基和Al（Ga）N/GaN发射极的热电子 晶体管 114基于2D材料与GaN结的光电器件 1141具有Gr透明导电电极的GaN LED 1142MoS2/GaN深紫外光电探测器 115Gr在GaN HEMT热管理中的应用 116总结 致谢 参考文献 ==参考文献==[[Category:040 類書總論；百科全書總論]]