氮化物半導體技術·功率電子和光電子器件檢視原始碼討論檢視歷史

《氮化物半導體技術·功率電子和光電子器件》，出版社： 機械工業出版社，ISBN：9787111728733。

機械工業出版社成立於1950年，是建國後國家設立的第一家科技出版社，前身為科學技術出版社，1952年更名為機械工業出版社。機械工業出版社（以下簡稱機工社）由機械工業信息研究院作為主辦單位，目前隸屬於國務院國資委。

內容簡介

本書概述了氮化物半導體及其在功率電子和光電子器件中的應用，解釋了這些材料的物理特性及其生長方法，詳細討論了它們在高電子遷移率晶體管、垂直型功率器件、發光二極管、激光二極管和垂直腔面發射激光器中的應用。本書進一步研究了這些材料的可靠性問題，並提出了將它們與2D材料結合用於新型高頻和高功率器件的前景。

本書具有較好的指導性和借鑑性，可作為功率電子和光電子器件領域研究人員和工程人員的參考用書。

目錄

序

原書前言

原書致謝

第1章氮化鎵材料的性能及應用

11歷史背景

12氮化物的基本性質

121微觀結構及相關問題

122光學性質

123電學性質

124AlGaN/GaN異質結構中的二維電子氣（2DEG）

13GaN基材料的應用

131光電子器件

132功率電子器件和高頻電子器件

14總結

致謝

參考文獻

第2章GaN基材料：襯底、金屬有機物氣相外延和量子阱

21引言

22塊體GaN生長

221氫化物氣相外延（HVPE）

222鈉助溶劑生長法

223氨熱生長

23金屬有機物氣相外延生長

231氮化物MOVPE基礎知識

232異質襯底上外延

233通過ELOG、FACELO等方法減少缺陷

234原位ELOG沉積SiN

235氮化物摻雜

236其他二元和三元氮化物生長

24InGaN量子阱的生長及分解

241InGaN量子阱在極化、非極化以及半極化GaN襯底

上的生長

242銦含量分布波動的原因

243InGaN量子阱的均質化

244量子阱的分解

25總結

致謝

參考文獻

第3章毫米波用GaN基HEMT

31引言

32GaN毫米波器件的主要應用

321高功率應用

322寬帶放大器

3235G

33用於毫米波的GaN材料應用設計

331與其他射頻器件的材料性能對比

332射頻器件中的特殊材料

34毫米波GaN器件的設計與製造

341各種GaN器件關鍵工藝步驟

342先進的毫米波GaN晶體管

35MMIC功率放大器概述

351基於ⅢN器件的MMIC技術

352從Ka波段到D波段頻率的MMIC示例

36總結

參考文獻

第4章常關型GaN HEMT技術

41引言

411AlGaN/GaN HEMT閾值電壓

42GaN HEMT「共源共柵」結構

43「真正的」常關型HEMT技術

431凹柵HEMT

432氟技術HEMT

433凹柵混合MIS HEMT

434p型GaN柵HEMT

44其他方法

45總結

致謝

參考文獻

第5章垂直型GaN功率器件

51引言

52用於功率轉換的垂直型GaN器件

53垂直型GaN晶體管

531電流孔徑垂直電子晶體管（CAVET）

532垂直型GaN MOSFET

54GaN高壓二極管

55GaN pn二極管雪崩電致發光

56GaN的碰撞電離係數

57總結

致謝

參考文獻

第6章GaN電子器件可靠性

61引言

611GaN HEMT的可靠性測試和失效分析

62射頻應用中GaN HEMT的可靠性

621AlGaN/GaN HEMT

622InAlN/GaN HEMT

623射頻GaN HEMT中的熱問題

63GaN功率開關器件的可靠性和魯棒性

631摻碳GaN緩衝層中的寄生效應

632p型GaN開關HEMT中的柵極退化

633GaN MIS HEMT中閾值電壓不穩定性

64總結

致謝

參考文獻

第7章發光二極管

71引言

72最先進的GaN發光二極管

721藍光二極管

722綠光二極管

73GaN白光LED：製備方法和特性

731單片發光二極管

732磷光體覆蓋的發光二極管

74AlGaN深紫外LED

741生長高質量AlN和提高內量子效率（IQE）

742基於AlGaN的UVC LED

743提高光提取效率（LEE）

75總結

致謝

參考文獻

第8章分子束外延生長激光二極管

81引言

82等離子體輔助分子束外延（PAMBE）ⅢN族材料的生長

原理

821N通量在高效InGaN量子阱材料中的作用

83寬InGaN量子阱——超越量子約束的斯塔克效應

84AmmonoGaN襯底製備的長壽命激光二極管

85隧道結激光二極管

851垂直互連的激光二極管堆

852分布式反饋激光二極管

86總結

致謝

參考文獻

第9章邊緣發射激光二極管和超輻射發光二極管

91激光二極管的歷史與發展

911光電子學背景

912GaN技術突破

913氮化物激光二極管的發展

92分布式反饋激光二極管

93超輻射發光二極管

931超輻射發光二極管的發展歷史

932基本SLD特性

933SLD優化面臨的挑戰

94半導體光放大器

95總結

參考文獻

第10章綠光和藍光垂直腔面發射激光器

101引言

1011GaN VCSEL的特性和應用

1012GaN VCSEL的簡史和現狀

1013不同DBR結構GaN VCSEL

102不同器件結構的散熱效率

1021器件熱分布模擬

1022熱阻Rth對諧振腔長度的依賴性

103基於InGaN量子點的綠光VCSEL

1031量子點相對於量子阱的優勢

1032InGaN量子點的生長及其光學特性

1033VCSEL的製備過程

1034綠光量子點VCSEL特性

104基於藍光InGaN量子阱局域態和腔增強發光效應的

綠光VCSEL

1041諧振腔效應

1042諧振腔增強的綠光VCSEL的特性

105基於量子阱內嵌量子點有源區結構的雙波長激射

1051量子阱內嵌量子點（QDinQW）結構特性

1052VCSEL激射特性

106具有不同橫向光限制的藍光VCSEL

1061折射率限制結構的設計

1062LOC結構VCSEL的發光特性

107總結

參考文獻

第11章新型電子和光電應用的2D材料與氮化物集成

111引言

112用氮化物半導體製造2D材料異質結構

1121轉移在其他襯底上生長的2D材料

11222D材料在Ⅲ族氮化物上的直接生長

1123氮化物半導體薄膜的2D材料生長

113基於2D材料/GaN異質結的電子器件

1131基於MoS2/GaN異質結的帶間隧道二極管

1132具有Gr基和Al（Ga）N/GaN發射極的熱電子

晶體管

114基於2D材料與GaN結的光電器件

1141具有Gr透明導電電極的GaN LED

1142MoS2/GaN深紫外光電探測器

115Gr在GaN HEMT熱管理中的應用

116總結

致謝

參考文獻