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记忆电阻器

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早在37年前,美国加州大学伯克利分校的华裔科学家蔡少棠教授,就从理论上预言 了记忆电阻器的存在,但直到现在才把它真正研制出来。
华裔科学家37年前理论预测成真。基础电子学教科书列出了三种基本的无源电路元件:电阻器、电容器和电感器。早在1971年,美国加州大学伯克利分校的华裔科学家蔡少棠教授就从理论上预言了忆阻器的存在。忆阻器实际上就是一个有记忆功能的非线性电阻器。蔡少棠发表的论文《忆阻器:下落不明的电路元件》提供了忆阻器的原始理论架构,推测电路有天然 的记忆能力,即使电力中断亦然。简单说,忆阻器是一种有记忆功能的非线性电阻。通过控制电流的变化可改变其阻值,如果把高阻值定义为"1",低阻值定义为"0",则这 种电阻就可以实现存储数据的功能。<ref>[https://baikewww.sothepaper.comcn/doc/9238020-9571357.html newsDetail_forward_9451408 记忆电阻器]搜狗</ref> 
=='''参考文献'''==
[[Category:302 科學參考工具]]
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