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王鼎盛

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{{Infobox person| 姓名 = 王鼎盛 编辑 | 图像 = [[File: 王鼎盛 ,物理学家。 .jpg|缩略图|center|[http://www.casad.cas.cn/wcm/sourcedb_ad_cas/zw2/json/sxwlxb/200906/W020100512802606795143.jpg 原图链接]]]| | 性别 = 男| 出生日期 =1940年10月| 国籍 = 中国 科学院物理研究所研究员。生于 | 民族 = 汉| 籍贯 = 重庆市南川县 。1962年毕 | 职 =物理学家| 母校 = 北京大学物理系 ,1966年 }}<big><big>'''王鼎盛'''</big></big><big><ref>[http://www.casad.cas.cn/aca/372/sxwlxb-200906-t20090624_1792009.html 中国科学院] </ref></big><big><ref>[http://people.ucas.edu.cn/~000583 http://theory.iphy.ac.cn/chinese/intro/wangdingsheng.html 中国科学院 凝聚态 研究所研究生毕业。主要从事 论与 计算 物理研究。2005年当选为 重点实验室] </ref></big><big><ref>[http://news.ucas.ac.cn/index.php?option=com_content&view=article&id=192110&catid=378&Itemid=218 中国科学院 院士,2011年6月,受聘为长江师范 院兼职教授。 新闻网] </ref></big><big><ref>[1http://muchong.com/html/200512/154624.html 小木虫] </ref></big>
中文名
王鼎盛
国 籍
中国
民 族
汉族
职 业
中国科学院院士 [1]
毕业院校
北京大学 [1]
性 别
目录
1 基本信息
2 职业概况
3 双聘院士
4 科研工作
5 社会职务
6 获奖情况
<br>
物理学家。1940年10月生于重庆市南川县。1962年毕业于北京大学物理系,1966年中国科学院物理研究所研究生毕业。2005年当选中国科学院院士。中国科学院物理研究所研究员。 <br>
主要从事计算物理研究。与他人合作,从密度泛函理论出发,用表面能带方法,计算在非磁材料上的超薄铁磁膜的物理性质,研究了磁性和原子层数的关系,说明并不存在磁性“死层”,并预言在超薄铁磁薄膜中原子的磁矩可以显著大于在体材料中的磁矩,后为实验所证实发展了磁晶各向异性的理论计算方法,计算结果与实验结果符合较好,提出的有效配位作用分析方法被同行广泛使用,还发展了高阶交换作用磁体的计算发展了从第一原理出发对表面吸附层的电子结构的计算,比较严格地处理了电荷转移问题和基底影响问题开辟了从第一原理出发计算晶体的非线性光学性质的理论,对我国计算材料学的发展做出了贡献。2005年当选为中国科学院院士。
<br>
== 教育背景 ==
* 1962年毕业于北京大学物理系。
* 1966年中国科学院物理研究所研究生毕业。
== 工作经历 ==
* 1967-1978年中国科学院物理研究所实习研究员。
* 1979-1982年中国科学院物理研究所助理研究员。
* 1982-1985年中国科学院物理研究所副研究员。
* 1985年被聘为中国科学院物理研究所研究员。
* 1979.2-1981.8美国西北大学访问学者。
* 从1984年起任‘中国物理快报’责任副主编。
* 1986-1994年间出任国家科学基金委员数理学部主任。
* 1991.12-1993.6美国西北大学访问学者。
* 1998.4-1999.3日本东北大学客座教授。
* 2008年接任‘中国科学G辑(物理,天文和力学辑)主编。
* 2005年当选中国科学院院士。
== 研究方向及领域 ==
长期致力于磁性体表面和界面性质理论,表面吸附和表面电子性质理论,晶体光学性质的理论计算研究,和计算凝聚态物理理论方法的发展。在磁性和表面物理研究中作出了突出贡献。
== 科研成果 ==
长期从事超薄膜材料的制备、表征及其物理性能研究。开展了第二代半导体薄膜GaAs、InAs/GaAs量子阱(点)、宽禁带半导体GaN和ZnO薄膜生长动力学研究, 发展完善了III-V族化合物半导体表面再构的基本规律;开展了半导体Si衬底上金属超薄膜量子尺寸效应的研究,定量建立了金属薄膜体系量子效应和材料性能间内在联系,发现了薄膜热膨胀系数、功函数、超导转变温度等的量子振荡现象;开展了有序纳米结构的自组织生长研究,发明了若干原子尺度精确控制生长技术,解决了异质外延生长纳米有序结构的难题。研制了几套低温生长及原子尺度原位检测装置。
== 主要奖项及荣誉==
* 1996年获得中科院自然科学二等奖。
* 1998年获得中科院科技进步二等奖。
* 2000年获得国家科技进步二等奖。
* 2001年获得中国物理学会叶企孙物理奖。
基本信息编辑王鼎盛,汉族,男,1940年10月生于重庆市南川县(现重庆市南川区),中国科 == 院院士,2011年6月,受聘为长江师范学院兼职教授 [1] 。 中国科学院物理研究所研究员,磁物理学家。1962年毕业于北京大学物理系,1966年中国科学院物理研究所研究生毕业。主要从事计算物理研究。与他人合作,从密度泛函理论出发,用表面能带方法,计算在非磁材料上的超薄铁磁膜的物理性质,研究了磁性和原子层数的关系,说明并不存在磁性“死层”,并预言在超薄铁磁薄膜中原子的磁矩可以显 术成就及 大于在体材料中的磁矩,后为实验所证实发展了磁晶各向异性的理论计算方法,计算结果与实验结果符合较好,提出的有效配位 用分析方法被同行广泛使用,还发展了高阶交换作用磁体的计算发展了从第一原理出发对表面吸附层的电子结构的计算,比较严格地处理了电荷转移问题和基底影响问题开辟了从第一原理出发计算晶体的非线性光学性质的理论,对我国计算材料学的发展做出了贡献。2005年当选为中国科学院院士 [2] 。1956-1962年在北京大学物理系学习,1962-1966年在中国科学院物理研究所作研究生,毕业后留所工作至今。主要从事磁学和表面物理问题的计算研究。三项代表性成果是: 1. 1980年代针对亚单层碱金属的吸附理论;2. 1980年代初针对界面磁性和表面巨磁矩的理论;和 3. 1990年代初针对表面磁各向异性能和自旋轨道耦合效应的理论。曾先后荣获中科院自然科学奖(1996),国家科技进步奖(2000)和中国物理学会叶企孙奖(2001)。 2005年当选为中国科学院院士。除了研究工作外,还曾在1986-1994年间出任国家科学基金委员数理学部主任。从1984年起任‘中国物理快报’责任副主编,并在2008年接任‘中国科学G辑(物理,天文和力学辑)主编。==
==参考资料=={{Reflist}}== 职业概况外部链接 ==编辑 1956[http://blog.9-1962sina.8北京大学物理系磁学专业毕业1962com.9-1966cn/s/blog_141fc8b5b0102xus8.8 html 中国科 王鼎盛院士关于 位论文写作致 物理 研究 所研究生 毕业导师的一封信]新浪博客1967-1978 中国科学院物理研究所实习研究员1979-1982 中国科学院物理研究所助理研究员1982-1985 中国科学院物理研究所副研究员1985 中国科学院物理研究所研究员1979[http://blog.2-1981sina.8 美国 王鼎盛 院士 西北大学访问学者1991com.12-1993cn/s/blog_141fc8b5b0102xus7.6 美国西北大学访问学者1998.4-1999.3 日本东北大学客座教授2005.11- 中国科学院院士   双聘院士编辑htmll 王鼎盛 是华南理工大学双聘 院士 [3]    ,李永庆 工作编辑磁性物理-磁性材料,尤其是磁性体表面和界面性质的理论;表面物理-表面吸附和表面电子性质理论;晶体光学性质-非线性光学晶体物理性质的理论计算;计算物理-固体电子结构与磁性的理论计算方法   社会职务编辑1986-1994 中国国家自然科学基金委 会 数理学部主任1987-1990 中国科学院国家表面物理实验室 主任1988 中国物理学会(1998)中国材料学会(1988-1999)中国计算物理学会(1997) 理事1984 中国物理快报(Chinese Physics Letters) 责任副主编1996-2003 国际纯粹和应用物理联合会(IUPAP),磁学委员会 委员1993 .. Laser Focus World(1993-1999)J.Computer-Aided Material Design(1993--) 国际顾问   获奖情况编辑1996 在2012 中科院自然科 二等奖。1998年中科院科技进步二等奖,和2000年国家科技进步二等奖。2001年中国物理学会叶企孙物理奖。典礼暨入所教育上的讲话] 新浪博客
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