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王鼎盛
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性別	男
出生	1940年10月
國籍	中國
籍貫	重慶市南川縣
民族	漢
母校	北京大學物理系
職業	物理學家

王鼎盛

物理學家。1940年10月生於重慶市南川縣。1962年畢業於北京大學物理系，1966年中國科學院物理研究所研究生畢業。2005年當選中國科學院院士。中國科學院物理研究所研究員。
主要從事計算物理研究。與他人合作，從密度泛函理論出發，用表面能帶方法，計算在非磁材料上的超薄鐵磁膜的物理性質，研究了磁性和原子層數的關係，說明並不存在磁性「死層」，並預言在超薄鐵磁薄膜中原子的磁矩可以顯著大於在體材料中的磁矩，後為實驗所證實發展了磁晶各向異性的理論計算方法，計算結果與實驗結果符合較好，提出的有效配位作用分析方法被同行廣泛使用，還發展了高階交換作用磁體的計算發展了從第一原理出發對表面吸附層的電子結構的計算，比較嚴格地處理了電荷轉移問題和基底影響問題開闢了從第一原理出發計算晶體的非線性光學性質的理論，對我國計算材料學的發展做出了貢獻。2005年當選為中國科學院院士。

教育背景

• 1962年畢業於北京大學物理系。
• 1966年中國科學院物理研究所研究生畢業。

工作經歷

• 1967-1978年中國科學院物理研究所實習研究員。
• 1979-1982年中國科學院物理研究所助理研究員。
• 1982-1985年中國科學院物理研究所副研究員。
• 1985年被聘為中國科學院物理研究所研究員。
• 1979.2-1981.8美國西北大學訪問學者。
• 從1984年起任『中國物理快報』責任副主編。
• 1986-1994年間出任國家科學基金委員數理學部主任。
• 1991.12-1993.6美國西北大學訪問學者。
• 1998.4-1999.3日本東北大學客座教授。
• 2008年接任『中國科學G輯（物理，天文和力學輯）主編。
• 2005年當選中國科學院院士。

研究方向及領域

長期致力於磁性體表面和界面性質理論，表面吸附和表面電子性質理論，晶體光學性質的理論計算研究，和計算凝聚態物理理論方法的發展。在磁性和表面物理研究中作出了突出貢獻。

科研成果

長期從事超薄膜材料的製備、表徵及其物理性能研究。開展了第二代半導體薄膜GaAs、InAs/GaAs量子阱（點）、寬禁帶半導體GaN和ZnO薄膜生長動力學研究, 發展完善了III-V族化合物半導體表面再構的基本規律；開展了半導體Si襯底上金屬超薄膜量子尺寸效應的研究，定量建立了金屬薄膜體系量子效應和材料性能間內在聯繫，發現了薄膜熱膨脹係數、功函數、超導轉變溫度等的量子振盪現象；開展了有序納米結構的自組織生長研究，發明了若干原子尺度精確控制生長技術，解決了異質外延生長納米有序結構的難題。研製了幾套低溫生長及原子尺度原位檢測裝置。

主要獎項及榮譽

• 1996年獲得中科院自然科學二等獎。
• 1998年獲得中科院科技進步二等獎。
• 2000年獲得國家科技進步二等獎。
• 2001年獲得中國物理學會葉企孫物理獎。

外部鏈接

王鼎盛院士關於學位論文寫作致物理所研究生導師的一封信新浪博客
王鼎盛院士，李永慶研究員在2012年開學典禮暨入所教育上的講話 新浪博客