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[[File:0 (9)6576776.jpg|缩略图|居中|[https://pic.baike.soso.com/ugc/baikepic2/13549/20210125130216-1584954010_jpeg_560_450_19456.jpg/0 原图链接][https://baike.sogou.com/PicBooklet.v?relateImageGroupIds=&lemmaId=6094444&now=https%3A%2F%2Fpic.baike.soso.com%2Fugc%2Fbaikepic2%2F13549%2F20210125130216-1584954010_jpeg_560_450_19456.jpg%2F0&type=1#simple_0 来自搜狗的图片]]]
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半导体放电管是一种[[过压保护器件]]，是利用晶闸管原理制成的，依靠PN结的击穿电流触发器件导通放电，可以流过很大的浪涌电流或脉冲电流。其击穿电压的范围，构成了过压保护的范围。
==基本内容==
中文名：半导体放电管
应用范围：调制解调器、传真机
别称：固体放电管
制作原理：晶闸管
==定义==
固体放电管,又称为半导体放电管
固体放电管使用时可直接跨接在被保护电路两端。
==应用范围==
半导体放电管其应用范围广泛，可用于[[调制解调器]]、[[传真机]]、[[PBX系统]]、[[电话]]、[[POS系统]]、[[模拟]]和[[数字卡]]等。
==选用方法==
选用半导体放电管应注意以下几点：
1、最大瞬间峰值电流IPP必须大于通讯设备标准的规定值。如FCC Part68A类型的IPP应大于100A；Bellcore 1089的IPP应大于25A。
2、转折电压VBO必须小于被保护电路所允许的最大瞬间峰值电压。
3、半导体放电管处于导通状态(导通)时，所损耗的功率P应小于其额定功率Pcm，Pcm=KVT*IPP，其中K由短路电流的波形决定。对于指数波，方波，正弦波，三角波K值分别为1.00，1.4，2.2，2.8。
4、反向击穿电压VBR必须大于被保护电路的最大工作电压。如在POTS应用中，最大振铃电压(150V)的峰值电压(150*1.41=212.2V)和直流偏压峰值(56.6V)之和为268.8V，所以应选择VBR大于268.8V的器件。又如在ISDN应用中，最大DC电压(150V)和最大信号电压(3V)之和为153V，所以应选择VBR大于153V的器件。
5、若要使半导体放电管通过大的浪涌电流后自复位，器件的维持电流IH必须大于系统所能能提供的电流值。即：IH(系统电压/源阻抗)。
==特点==
1.适合高密度表面贴装的防静电浪涌。
2.适合流动和量低，可用于高频电路。
5.高绝缘阻抗特性。
6.可进行编带包装。
7.符合IEC61000-4-2规格。<ref>[https://www.912688.com/promotevr/534A5BFC4F53653E75357BA1-fpcvrlist.html 半导体放电管]搜好货网</ref>
=='''参考文献'''==
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[[File:0 (9)6576776.jpg|缩略图|居中|[https://pic.baike.soso.com/ugc/baikepic2/13549/20210125130216-1584954010_jpeg_560_450_19456.jpg/0 原图链接][https://baike.sogou.com/PicBooklet.v?relateImageGroupIds=&lemmaId=6094444&now=https%3A%2F%2Fpic.baike.soso.com%2Fugc%2Fbaikepic2%2F13549%2F20210125130216-1584954010_jpeg_560_450_19456.jpg%2F0&type=1#simple_0 来自搜狗的图片]]]
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半导体放电管是一种[[过压保护器件]]，是利用晶闸管原理制成的，依靠PN结的击穿电流触发器件导通放电，可以流过很大的浪涌电流或脉冲电流。其击穿电压的范围，构成了过压保护的范围。
==基本内容==
中文名：半导体放电管
应用范围：调制解调器、传真机
别称：固体放电管
制作原理：晶闸管
==定义==
固体放电管,又称为半导体放电管
固体放电管使用时可直接跨接在被保护电路两端。
==应用范围==
半导体放电管其应用范围广泛，可用于[[调制解调器]]、[[传真机]]、[[PBX系统]]、[[电话]]、[[POS系统]]、[[模拟]]和[[数字卡]]等。
==选用方法==
选用半导体放电管应注意以下几点：
1、最大瞬间峰值电流IPP必须大于通讯设备标准的规定值。如FCC Part68A类型的IPP应大于100A；Bellcore 1089的IPP应大于25A。
2、转折电压VBO必须小于被保护电路所允许的最大瞬间峰值电压。
3、半导体放电管处于导通状态(导通)时，所损耗的功率P应小于其额定功率Pcm，Pcm=KVT*IPP，其中K由短路电流的波形决定。对于指数波，方波，正弦波，三角波K值分别为1.00，1.4，2.2，2.8。
4、反向击穿电压VBR必须大于被保护电路的最大工作电压。如在POTS应用中，最大振铃电压(150V)的峰值电压(150*1.41=212.2V)和直流偏压峰值(56.6V)之和为268.8V，所以应选择VBR大于268.8V的器件。又如在ISDN应用中，最大DC电压(150V)和最大信号电压(3V)之和为153V，所以应选择VBR大于153V的器件。
5、若要使半导体放电管通过大的浪涌电流后自复位，器件的维持电流IH必须大于系统所能能提供的电流值。即：IH(系统电压/源阻抗)。
==特点==
1.适合高密度表面贴装的防静电浪涌。
2.适合流动和量低，可用于高频电路。
5.高绝缘阻抗特性。
6.可进行编带包装。
7.符合IEC61000-4-2规格。<ref>[https://www.912688.com/promotevr/534A5BFC4F53653E75357BA1-fpcvrlist.html 半导体放电管]搜好货网</ref>
=='''参考文献'''==
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