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Braunstein發現了砷化鎵（GaAs）與及其他半導體合金的紅外線放射作用 1962年，GE、Monsanto、IBM的聯合實驗室開發出了發655nm紅光的磷砷化鎵（GaAsP）半導體化合物，從此發光二極管進入商業化發展進程。 1965年，Monsanto和惠普公司推出了用GaAsP材料製作的商用化紅色LED，當時這種LED燈的效率為每瓦大約0

。當有光照射時，反向電阻減小，反向電流增大。 6、發光二極管 發光二極管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化鎵）、 GaP（磷化鎵）、GaAsP（磷砷化鎵）等半導體製成的，其核心是PN結。因此它具有一般P-N結的I-N特性，即正嚮導通，反向截止、擊穿特性。此外，在一定條件下，它還具有發光特性。在正

危險性符號:R12 R26 R48/20 R50/53 砷烷用於半導體工業中，如外延硅的N型摻雜、硅中N型擴散、離子注入、生長砷化鎵（GaAs）、磷砷化鎵（GaAsP）以及與某些元素形成化合物半導體。也用於有機合成、科研或某些特殊實驗中。 1.性狀：無色氣體，有大蒜臭味。 2.熔點（℃）：-116

危險性符號:R12 R26 R48/20 R50/53 砷烷用於半導體工業中，如外延硅的N型摻雜、硅中N型擴散、離子注入、生長砷化鎵（GaAs）、磷砷化鎵（GaAsP）以及與某些元素形成化合物半導體。也用於有機合成、科研或某些特殊實驗中。 金屬砷與鋅反應生成砷化鋅，砷化鋅再與硫酸反應得精砷烷，經多級吸附純化可製得高純砷烷產品。

它具有省電、耐用、亮度強等優點。外殼上明顯位置鑄有防爆標誌和防爆證號。 (一)LED發光原理 發光二極管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs(砷化鎵)、GaP(磷化鎵)、GaAsP(磷砷化鎵)等半導體製成的，其核心是PN結。因此它具有一般P-N結的I-N特性，即正嚮導通，反向截止、擊穿特性。此外，在一定條件下，它還具有發光特性。在正向