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| DDR內存 |
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DDR內存全稱是DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM，雙倍速率SDRAM)。DDR SDRAM最早是由三星公司於1996年提出，由日本電氣、三菱、富士通、東芝、日立、德州儀器、三星及現代等八家公司協議訂立的內存規格，並得到了AMD、VIA與SiS等主要芯片組廠商的支持。它是SDRAM 的升級版本，因此也稱為「SDRAM II」。
簡介
DDR是21世紀初主流內存規範，各大芯片組廠商的主流產品全部是支持它的。DDR全稱是DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM，雙倍速率SDRAM)。DDR的標稱和SDRAM一樣採用頻率。截至2017年，DDR運行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種，由於DDR內存具有雙倍速率傳輸數據的特性，因此在DDR內存的標識上採用了工作頻率×2的方法，也就是DDR200、DDR266、DDR333和DDR400，一些內存生產廠商為了迎合發燒友的需求，還推出了更高頻率的DDR內存。其最重要的改變是在界面數據傳輸上，他在時鐘信號的上升沿與下降沿均可進行數據處理，使數據傳輸率達到SDR(Single Data Rate)SDRAM 的2倍。至於尋址與控制信號則與SDRAM相同，僅在時鐘上升沿傳送。
評價
DDR SDRAM模塊部分與SDRAM模塊相比，改為採用184針(pin)，4~6 層印刷電路板，電氣接口則由「LVTTL」改變為「SSTL2」。在其它組件或封裝上則與SDRAM模塊相同。DDR SDRAM模塊一共有184個接腳，且只有一個缺槽，與SDRAM的模塊並不兼容。 DDR SDRAM在命名原則上也與SDRAM不同。SDRAM的命名是按照時鐘頻率來命名的，例如PC100與PC133。而DDR SDRAM則是以數據傳輸量作為命名原則，例如PC1600以及PC2100，單位 MB/s。所以 DDR SDRAM中的DDR200 其實與 PC1600 是相同的規格，數據傳輸量為 1600MB/s(64bit×100MHz×2÷8=1600MBytes/s)，而 DDR266與PC2100 也是一樣的情形(64bit×133MHz×2÷8=2128MBytes/s)。[1]