靜電感應晶體管檢視原始碼討論檢視歷史
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靜電感應晶體管是一種結型場效應管單極型壓控器件。它具有輸入阻抗高、輸出功率大、開關特性好、熱穩定性好以抗輻射能力強等特點。SIT在結構設計上採用多單元集成技術，因而可製成高壓大功率器件。它不僅能工作在開關狀態，作為大功率電流開關，而且也可以作為功率放大器，用於大功率中頻發射機、長波電台、差轉機、高頻感應加熱裝置以及雷達等方面。SIT的產品已達到電壓1500V、電流300A、耗散功率3kW、截止頻率30～50MHz。 [1]
簡介
靜電感應晶體管SIT(Static Induction Transistor)誕生於1970年，實際上是一種結型場效應晶體管。將用於信息處理的小功率SIT器件的橫嚮導電結構改為垂直導電結構，即可製成大功率的SIT器件。SIT是一種多子導電的器件，其工作頻率與電力MOSFET相當，甚至超過電力MOSFET，而功率容量也比電力MOSFET大，因而適用於高頻大功率場合，已在雷達通信設備、超聲波功率放大、脈衝功率放大和高頻感應加熱等某些專業領域獲得了較多的應用。
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但是SIT在柵極不加任何信號時是導通的，柵極加負偏壓時關斷，這被稱為正常導通型器件，使用不太方便。此外，SIT通態電阻較大，使得通態損耗也大，因而SIT還未在大多數電力電子設備中得到廣泛應用。
評價
SIT是一種電壓控制器件。在零柵壓或很小的負柵壓時，溝道區已全部耗盡，呈夾斷狀態，靠近源極一側的溝道中出現呈馬鞍形分布的勢壘，由源極流向漏極的電流完全受此勢壘的控制。在漏極上加一定的電壓後，勢壘下降，源漏電流開始流動。漏壓越高,越大,亦即 SIT的源漏極之間是靠漏電壓的靜電感應保持其電連接的,因此稱為靜電感應晶體管。SIT和一般場效應晶體管(FET)在結構上的主要區別是：①SIT溝道區摻雜濃度低，為1012～1015厘米-3,FET則為1015～1017厘米-3；②SIT具有短溝道，在輸出特性上，前者為非飽和型三極管特性，後者為飽和型五極管特性。
靜電感應型硅可控整流器已做到導通電流30安(壓降為0.9伏)，開關時間為110納秒。另外，已研製出 MOS型SIT和SIT低功耗、高速集成電路，其邏輯門的功率-延遲積的理論值可達1×10-15焦以下。
SIT具有非飽和型電流電壓輸出特性,它和三極電子管的輸出特性相類似。
視頻
史上最小晶體管問世，僅有1納米，打破傳統極限