鄭有炓檢視原始碼討論檢視歷史

鄭有炓 半導體材料與器件物理專家。1935年10月1日生於福建大田。1957年畢業於南京大學物理系。現任南京大學物理系教授。2003年當選為中國科學院院士。

從事新型半導體異質結構材料與器件研究。在鍺硅、Ⅲ族氮化物異質結構研究中，發展了生長鍺硅、Ⅲ族氮化物異質結構材料的光輻射加熱方法和新技術。基於鍺硅、Ⅲ族氮化物極化能帶工程，發展了多種新器件。提出並實現了鐵電體/氮化鎵、鐵磁體/半導體異質結構新體系。發現鍺硅合金應變誘導有序化新結構，提出新模型。揭示Ⅲ族氮化物異質結構極化、二維電子氣及其相關性質。觀測到碲化鎘/銻化銦異質結構二維電子氣及占據子帶規律，開拓II-VI/III-V族異質體系二維電子氣研究領域。提出基於鍺硅技術實現二氧化硅/硅界面量子限制硅納米結構。