車用功率半導體器件設計與應用檢視原始碼討論檢視歷史
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《車用功率半導體器件設計與應用》，[日] 岩室憲幸 著，馬京任 譯，出版社： 科學出版社。
科學出版社是中國最大的綜合性科技出版機構[1]，由前中國科學院編譯局與1930年代創建的有較大影響的龍門聯合書局合併而來。科學出版社比鄰皇城根遺址公園，是一個歷史悠久、力量雄厚，以出版學術書刊為主的開放式出版社[2]。
內容簡介
《車用功率半導體器件設計與應用》使用大量圖表，通俗易懂地講解功率器件的運行和設計技術，其中，第1章概述功率器件在電路運行中的作用以及功率器件的種類，同時解釋為何功率MOSFET和IGBT已成為當前功率器件的主角；第2章和第3章講述硅功率MOSFET和IGBT，從基本單元結構描述製造過程，然後以淺顯易懂的方式解釋器件的基本操作，此外，還提到了功率器件所需的各種特性，並加入改進這些特性的*新器件技術的說明；第4章以肖特基勢壘二極管和PIN二極管為中心進行講述；第5章概述SiC功率器件，講解二極管、MOSFET和封裝技術，對於*近取得顯著進展的*新的SiC MOSFET器件設計技術也進行了詳細介紹。
目錄
第1章 車用功率器件 1
1.1 簡介 3
1.2 電壓型逆變器和電流型逆變器 5
1.3 功率器件的作用 7
1.4 功率器件的類型 11
1.5 MOSFET和IGBT的興起 12
1.6 近期功率器件技術趨勢 14
1.7 車用功率器件 15
1.8 車用功率器件的種類 17
參考文獻 19
第2章 硅MOSFET 21
2.1 簡介 23
2.2 功率MOSFET 24
2.2.1 基本單元結構 24
2.2.2 功率MOSFET製作工藝 25
2.2.3 MOS結構的簡單基礎理論 26
2.2.4 常開特性和常閉特性 32
2.2.5 電流-電壓特性 34
2.2.6 漏極-源極間的耐壓特性 35
2.2.7 功率MOSFET的導通電阻 39
2.2.8 功率MOSFET的開關特性 43
2.2.9 溝槽柵極功率MOSFET 46
2.2.10 *先進的硅功率MOSFET 47
2.2.11 MOSFET內置二極管 54
2.2.12 外圍耐壓區 56
參考文獻 60
第3章 硅IGBT 63
3.1 簡介 65
3.2 基本單元結構 65
3.3 IGBT的誕生 66
3.4 電流-電壓特性 68
3.5 集電極-發射極間的耐壓特性 69
3.6 IGBT的開關特性 71
3.6.1 導通特性 73
3.6.2 關斷特性 76
3.7 IGBT的破壞耐量（安全工作區域） 79
3.7.1 IGBT關斷時的破壞耐量 79
3.7.2 IGBT負載短路時的破壞耐量 80
3.8 IGBT的單元結構 82
3.9 IGBT單元結構的發展 83
3.9.1 IGBT晶圓減薄工藝 87
3.10 IGBT封裝技術 90
3.11 *新IGBT技術 91
3.11.1 表面單元結構的*新技術 91
3.11.2 逆阻型IGBT和逆導型IGBT 92
3.12 未來展望 95
參考文獻 97
第4章 硅二極管 99
4.1 簡介 101
4.2 二極管的電流-電壓特性和反向恢復特性 101
4.3 單極二極管 103
4.3.1 肖特基勢壘二極管（SBD） 103
4.4 雙極二極管 104
4.4.1 PIN二極管 104
4.4.2 SSD和MPS二極管 109
參考文獻 111
第5章 SiC功率器件 113
5.1 簡介 115
5.2 晶體生長和晶圓加工工藝 115
5.3 SiC單極器件和SiC雙極器件 116
5.4 SiC二極管 117
5.4.1 SiC-JBS二極管 119
5.4.2 SiC-JBS製備工藝 121
5.4.3 SiC-JBS二極管外圍耐壓區 123
5.4.4 SiC-JBS二極管的破壞耐量 125
5.4.5 硅IGBT和SiC-JBS二極管的混合模塊 126
5.4.6 SiC-PIN二極管的正向劣化 126
5.5 SiC-MOSFET 128
5.5.1 SiC-MOSFET製造工藝 130
5.5.2 源極-漏極間的耐壓設計 133
5.5.3 平面MOSFET單元設計 135
5.5.4 SiC溝槽MOSFET 136
5.5.5 SiC溝槽MOSFET製作工藝 137
5.5.6 SiC-MOSFET的破壞耐量解析 139
5.6 *新SiC-MOSFET技術 141
5.6.1 SiC超級結MOSFET 141
5.6.2 新型MOSFET 142
5.7 SiC器件貼裝技術 143
參考文獻 146
參考文獻
- ↑ 國家對出版社等級是怎樣評估的 ，搜狐，2024-07-06
- ↑ 公司簡介，中國科技出版傳媒股份有限公司