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  負微分電阻效應

負微分電阻效應,又稱為負阻特性,負微分電阻一般是指n型的GaAs 和 InP等雙能能谷半導體中由於電子轉移效應(Transferred-electr on effect)而產生的一種效果——電壓增大、電流減小所呈現出的電阻。

簡介

沒有一個單一的電子元件,可以在所有工作範圍都呈現負阻特性,不過有些二極管(例如隧道二極管)在特定工作範圍下會有負阻特性。 圖一用共振隧道二極管說明其負阻特性。有些氣體在放電時也會出現負阻特性。而一些硫族化物的玻璃、有機半導體及導電聚合物也有類似的負阻特性。負阻元件在電子學中可製作雙穩態的切換電路及頻率接近微波頻率的震盪電路。右圖1繪出一個理想負電阻的電流-電壓關係,其斜率為負值。而一般電阻的斜率為正值。隧道二極管和耿氏二極管的電流-電壓關係圖中都有一個區域,其微分電阻為負值。這些元件和電阻一様也有二個端子,不過不是線性元件。單接合面晶體管若和其他元件組合成電路時,也會有負電阻的特性。若要有理想負電阻的特性,電路中需要有主動元件提供能量。因為當電流流過負電阻時,負電阻即為一能量源。

評價

依歐姆定律,電阻二端的電壓和電流成正比,其電流-電壓關係的圖形斜率為正,且會通過原點。理想負電阻其電流-電壓關係的圖形斜率為負,且會通過原點,因此只在圖1中的第二和第四象限出現。像隧道二極管之類的元件,其斜率為負的部分未通過原點,因此隧道二極管中沒有能量源。[1]

參考文獻