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表面結構分析檢視原始碼討論檢視歷史

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表面結構分析 (表面相中原子組成與排列方式)的實驗研究於段。主要用表 面分析技術如低能電子衍射、反射式高能電子衍射、場致離子 顯微鏡、俄歇電子能譜、外延X射線吸收精細結構、湯發射、 場離子發射等研究構成表面區的原子的種類,彼此間的相對 位置,表面區的各種缺陷及其他表面問題。[1]

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俄歇電子能譜學(Auger electron spectroscopy,簡稱AES),是一種表面科學和材料科學的分析技術。因此技術主要藉由俄歇效應進行分析而命名之。這種效應系產生於受激發的原子的外層電子跳至低能階所放出的能量被其他外層電子吸收而使後者逃脫離開原子,這一連串事件稱為俄歇效應,而逃脫出來的電子稱為 俄歇電子。1953年,俄歇電子能譜逐漸開始被實際應用於鑑定樣品表面的化學性質及組成的分析。其特點在俄歇電子來自淺層表面,僅帶出表面的資訊,並且其能譜的能量位置固定,容易分析。

參考來源