表面態檢視原始碼討論檢視歷史
表面態在實際的半導體器件中，半導體材料不可能是無窮大的，總有一定的邊界，因此表面（邊界）效應對半導體器件的特性具有非常重要的影響。實際上，在多數情況下半導體器件特性是由半導體表面效應而不是體內效應決定。（如MOS） 理想表面是指表面層中原子排列的對稱性與體內原子完全相同，且表面上不附着任何原子或分子的半無限晶體表面(即晶體的自由表面)。當一塊半導體突然被中止時，表面理想的周期性晶格發生中斷，從而導致禁帶中出現電子態（能級），該電子態稱為表面態(Tamm state)[1]
20px; text-align:left"在 半導體的表面，由於存在自身缺陷、吸附物質、 氧化物或與 電解液中的物質發生作用等原因，表面存在不飽和的共價鍵，表面電子的量子狀態會形成分立的能級或很窄的 能帶，稱為表面態。它可以俘獲或釋放 載流子，或形成 複合中心，使半導體帶有 表面電荷，影響其電性能。故 半導體器件製作時需要 超淨處理， 半導體電極的性質也比 金屬電極複雜。
理想表面是指表面層中 原子排列的 對稱性與體內原子完全相同，且表面上不附着任何原子或分子的半無限 晶體表面(即 晶體的自由表面)。理論分析表明，在表面外側和內側， 電子的 波函數都按指數關係衰減，這表明電子的分布幾率在表面處最大，即電子被局限在表面附近。這種電子狀態即稱作表面態，對應的 能級稱為 表面能級。