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莫非，男， 北京理工大學教授。
人物簡歷
2024 年 04 月 – 至今，北京理工大學，集成電路與電子學院，准聘教授
2021 年 04 月 – 2023年12月，鎧俠株式會社，新型存儲器研發部，研究員
2020 年 10 月 - 2021 年 03 月，東京大學, 生產技術研究所，特任研究員
2017 年 09 月 - 2020 年 09 月，東京大學，電氣工程，博士
2015 年 04 月 - 2017 年 04 月，京都工藝纖維大學，電子學，碩士
2009 年 09 月 - 2013 年 07 月，電子科技大學，微電子學，學士
研究方向
先進CMOS工藝，新型存儲器，三維結構集成電路、新型半導體器件及電路建模
學術成果
1. Fei Mo, et al., "Efficient Erase Operation by GIDL Current for 3D Structure FeFETs With Gate Stack Engineering and Compact Long-Term Retention Model", IEEE Journal of Electron Devices Society, 10, pp. 115-122 (2022), January 11, 2022.
2. Fei Mo, et al., "Critical Role of GIDL Current for Erase Operation in 3D Vertical FeFET and Compact Long-term FeFET Retention Model", VLSI symposium on Technology, T16-2, June 19 (2021).
3. Fei Mo, et al., "Low-Voltage Operating Ferroelectric FET with Ultrathin IGZO Channel for High-Density Memory Application", IEEE Journal of Electron Device Society, 8, pp. 717-723, July. 29th, 2020.
4. Fei Mo, et al., "Reliability characteristics of metal/ferroelectric-HfO2/IGZO/metal capacitor for non-volatile memory application", Applied Physics Express, 13, 074005, June 23 (2020).
5. Fei Mo, et al., "Experimental Demonstration of Ferroelectric HfO2 FET with Ultrathin-body IGZO for High-Density and Low-Power Memory Application", VLSI technology symposium 2019, pp. 42-43, June 11, 2019.
6. Fei Mo, et al., 「Scalability Study on Ferroelectric-HfO2 Tunnel Junction Memory Based on Non-equilibrium Green Function Method with Self-consistent Potential」, International Conference on Electron Device Meeting (IEDM) 2018, San Francisco, CA, Dec. 5, 2018, pp.372-375.
研究成果
11年海外經歷，其中具有三年海外產業界研發經驗。主要從事以先進CMOS工藝為基礎的新型存儲器， 三維結構集成電路及其建模的相關研究工作。以獨立第一作者身份在微電子領域頂級會議IEDM，VLSI上發表論文數篇。歡迎具有材料、電子、通信、計算機背景的同學的加入。
主持課題
主持國家級青年人才項目等課題
榮獲獎項
2020.09 東京大學優秀博士論文賞
2020.12 The IEEE Electron Device Society 2019 Leo Esaki Award
2022.12 The IEEE Electron Device Society 2021 Paul Rappaport Award
2023.12 The IEEE Electron Device Society 2022 Leo Esaki Award
學術兼職
IEEE TED，IEEE EDL 等期刊審稿人 [1]