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瓷介電容

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瓷介電容用高介電常數的電容器陶瓷〈鈦酸鋇一氧化鈦〉擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質,並用燒滲法將銀鍍在陶瓷上作為電極製成。它又分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。

簡介

具有小的正電容溫度係數的電容器,用於高穩定振盪迴路中,作為迴路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限於在工作頻率較低的迴路中作旁路或隔直流用,或對穩定性和損耗要求不高的場合,這種電容器不宜使用在脈衝電路中,因為它們易於被脈衝電壓擊穿。瓷片電容主要針對於高頻,高壓瓷片電容取決於你使用在什麼場合,典型作用可以消除高頻干擾。優點1.容量損耗隨溫度頻率具高穩定性2.特殊的串聯結構適合於高電壓極長期工作可靠性3.高電流爬升速率並適用於大電流迴路無感型結構。

評價

I型電容器陶瓷:它的介電常數一般小於100,電氣性能穩定,基本上不隨溫度、電壓、時間的改變而變化,屬超穩定、低損耗的電容器介質材料,常用於對穩定性、可靠性要求較高的高頻、超高頻、甚高頻的場合。 Ⅱ型電容器陶瓷:它的介電常數一般大於1000,電氣性能較穩定,適用於隔直、耦合、旁路和濾波電路及對可靠性要求較高的中、低頻場合。[1]

參考文獻