王金淑檢視原始碼討論檢視歷史
| 王金淑 |
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王金淑，女，工學博士，教授，博士生導師。於2012年國家傑出青年基金獲得者。 [1]
國家發明成果二等獎一項，省部級一等獎兩項，國家發明專利八項等.。 [3]
基本信息
人物說明----北京工業大學材料科學與工程學院院長
民 族 ---- 漢族
國 籍 ---- 中國
職 業 ---- 教育科研工作者,教授,博士生導師
主要成就----國家發明成果二等獎一項，省部級一等獎兩項，國家發明專利八項等
畢業院校----北京科技大學
人物介紹
王金淑同志2002年至2004年在日本東北大學進行博士後研究工作。
1999年入選北京市科技新星計劃，
2001年獲第八屆霍英東青年教師基金獎，
2005年入選教育部新世紀優秀人才計劃，
2006年獲國家知識產權局、全國婦聯、中國發明協會聯合授予的第三屆新世紀巾幗發明家稱號,
2012年榮獲國家傑出青年榮譽稱號，
現任北京工業大學材料科學與工程學院院長。
獲國家發明成果二等獎一項，省部級一等獎兩項，國家發明專利十項，等國內外學術期刊上發表論文200餘篇，其中被SCI收錄的論文150餘篇,出版中文專著一部，參編英文專著一部。
人物榮譽
1999年入選北京市科技新星計劃，
2002年獲第八屆霍英東青年教師基金獎。
2003年及2004年分別獲教育部技術發明一等獎及國家技術發明二等獎各一項;
2005年入選教育部新世紀優秀人才支持計劃;
2006年獲中國第三屆新世紀巾幗發明家稱號;
2007年獲國防科工委技術發明二等獎，並獲首都女職工創新之星稱號。
2008年獲茅以升科學技術獎-北京青年科技獎，入選新世紀百千萬人才工程北京市級人選，並獲國務院政府特殊津貼。
2009年獲國家教育教學成果二等獎，北京市教育教學成果特等獎，全軍科學技術進步三等獎，入選北京市學術型創新人才計劃。
《材料工程基礎綜合實驗》國家級精品課程負責人。
中國電子學會真空電子學分會委員會委員，中國腐蝕與防護學會能源工程專業委員會委員，中國電子學會生產技術分會委員會委員，《粉末冶金技術》編委，《真空電子技術》編委。
國際J.Appl.Phys., J. Phys. Chem.等刊物的審稿專家。
美國IEEE協會、化學會、日本化學會、日本陶瓷學會會員。
獲得國家發明專利16項，美國專利2項。
在國內外學術期刊上發表論文百餘篇，其中被SCI/EI收錄的論文90餘篇,出版專著一部。
目前研究方向主要包括電子發射材料、納米半導體材料以及應用電化學等。
近年來，與包括斯坦福大學、加州大學戴維斯分校、日本東北大學以及韓國首爾大學等在內的國外著名大學保持着密切合作關係。
研究成果
稀土難熔金屬電子發射材料是王金淑的重要研究方向。
在大功率電子管用陰極材料方面，替代有放射污染的Th-W材料是數十年來人們的一個夢想。
新型環保陰極材料--鑭鉬陰極材料多年來由於其發射穩定性的難題讓世界無數科學家為之折腰。
90年代初期，周美玲教授領導的科研團隊向停滯多年的課題發起了衝擊。
但是直到90年代中期，雖然經過多種方法處理，其發射穩定性仍然沒有得到改善。
1996年成為周美玲教授博士生的王金淑參加了這項研究。
王金淑認為，鑭鉬陰極材料的性能與它的很多物理化學問題緊密相關，應該着重從它的發射機理等基礎研究入手。
經過一系列基礎研究，為陰極處理的關鍵工藝的制定提供了理論指導，顯著改善了鑭鉬陰極的發射穩定性，首次成功製成了實用型鑭鉬陰極的FU-6051電子管，壽命從原來的十幾小時提高到3000小時(技術標準為1000小時)，達到了國際最高水平，這個困擾陰極材料工作者多年的世界性難題被解決了。
以徐光憲院士和李英東院士為首的專家組鑑定認為:"該項研究在機理上為國內外首創，在工藝研究上取得突破，成果處於國際領先水平"。
由於研究成果突出，王金淑提前半年畢業並通過了博士學位論文答辯，學位論文《稀土鉬陰極發射機理、稀土元素行為及作用機制研究》被評為校優秀論文，並獲全國百篇優秀博士論文提名獎。
在鑭鉬熱陰極材料研究的基礎上，王金淑首次在中國國內外開展了磁控管用稀土鉬次級發射材料的研究。
實驗結果表明，稀土鉬次級發射陰極是一種耐高溫回轟、長壽命、製備工藝簡單的新型磁控管陰極材料，有望在醫療領域的癌症放射治療儀中應用，改變其關鍵部件從國外進口的現狀。
某型號的稀土陰極磁控管已成功應用於雷達上，稀土陰極磁控管已批量生產。
以才洪年院士為首的專家組對該項目進行了技術鑑定，鑑定結論為:"新型陰極材料屬於國內外首創，其綜合性能達到國際領先水平。"
作為第一發明專利人，王金淑目前已申請相關國家發明專利4項，3項獲批，1項進入專利公開階段。
除稀土鉬陰極外，王金淑正在將研究進一步拓展，以應用到其它領域。
她們採用液液摻雜及液固摻雜法製備了鈧鎢基粉末，並與北京真空電子源研究所合作製成了擴散型陰極，該種陰極具有製備工藝簡單，重複性好的特點，其發射性能達到國際最好水平。
已申報相關國家發明專利4項(其中第一專利發明人3項，第二專利發明人1項)，其中獲批1項，3項處於專利公開階段。
在2005年出版的第五屆國際真空電子源會議論文集的前言中，有着以下評述:"中國在世界真空電子研究與發展領域占據着重要的位置，並將在未來位於領先地位。
主要體現在中國採用亞微米技術在鈧系陰極或鑭鉬陰極方面取得了巨大進展"。
這些由國內外專家撰寫的綜述，正是對這個研發團隊所取得的科研成果的首肯。
鈧鎢基擴散陰極的研究成果已引起了國外真空電子領域科研工作者的高度重視，美國斯坦福大學線性加速器中心研發主任Glenn博士來函索要鈧鎢擴散陰極，
並在斯坦福大學進行了測試，以下為他的測試結果和評價:"在斯坦福線性加速器中心，我對北京工業大學-北京真空電子源研究所提供的C1陰極進行了加速壽命實驗…，
對於你們陰極的測試結果我感到非常興奮，該陰極在支取100A/cm2的發射電流密度條件下工作500小時以上沒有任何問題。…，
這是一個極為優異的結果。"基於上述優異的測試結果，美國已經將北京工業大學列入美國的Muri計劃，該計劃意加強大學、研究單位及企業間的交流與合作，
美國斯坦福大學、加利福尼亞大學戴維斯分校已來人與課題組進行交流，雙方擬進行合作研究以將其應用在更尖端領域