氮化鎵微波功率器件檢視原始碼討論檢視歷史
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《氮化鎵微波功率器件》，馬曉華，鄭雪峰，張進成 著，出版社： 西安電子科技大學出版社。
隨着科學技術日新月異地發展，傳播知識信息手段[1]，除了書籍、報刊外，其他工具也逐漸產生和發展起來。但書籍的作用，是其他傳播工具或手段所不能代替的。在當代，無論是中國，還是其他國家，書籍仍然是促進社會政治、經濟、文化發展必不可少的重要傳播工具[2]。
內容簡介
氮化鎵微波功率器件出現至今，無論是其關鍵技術還是工程應用均取得了快速發展，目前已在新一代移動通信、新型雷達等領域獲得了廣泛應用。為了推動氮化鎵知識的普及，促進讀者對氮化鎵技術的了解，作者結合研究團隊多年的研究及技術實踐編撰了此書。本書共6章，包括緒論、氮化物材料MOCVD生長技術、氮化鎵微波功率器件技術、微波功率器件新型工藝、微波功率器件建模、新型氮化鎵微波功率器件。
本書可作為微電子器件領域學生的專業教材，也可作為相關領域研究生及從業人員的參考資料。
目錄
第1章 緒論
1．1 背景
1．2 氮化鎵材料研究進展
1．3 氮化鎵微波功率器件研究進展
1．4 氮化鎵微波功率器件可靠性進展
參考文獻
第2章 氮化物材料MOCVD生長技術
2．1 GaN材料基本特性及MOCVD生長技術
2．1．1 GaN材料的基本特性
2．1．2 MOCVD方法生長GaN簡介
2．2 磁控濺射AIN基板生長GaN薄膜技術
2．2．1 磁控濺射AIN特性簡介
2．2．2 磁控濺射AIN基板上GaN材料生長及表徵
2．2．3 磁控濺射AIN基板位錯抑制機理分析
2．3 微納球掩膜部分接觸式橫向外延過生長技術
2．3．1 部分接觸式橫向外延過生長簡介
2．3．2 微納球掩膜技術外延薄膜材料表徵
2．3．3 微納球掩膜技術外延機理分析
2．4 斜切襯底上N面GaN材料生長技術
2．4．1 N面GaN材料簡介
2．4．2 斜切襯底上N面GaN材料生長
2．4．3 斜切襯底上N面GaN材料位錯湮滅機理分析
2．5 InGaN溝道異質結
2．5．1 InGaN溝道異質結特性簡介
2．5．2 InGaN溝道異質結基本特性表徵
2．5．3 InGaN溝道異質結電學特性分析
參考文獻
第3章 氮化鎵微波功率器件技術
3．1 器件的直流參數及測量
3．2 氮化鎵基器件製備工藝
3．2．1 新材料表面鏡檢與清洗
3．2．2 標記金屬製備
3．2．3 歐姆金屬製備
3．2．4 器件有源區隔離
3．2．5 表面鈍化
3．2．6 柵下鈍化層去除以及勢壘層處理
3．2．7 柵下絕緣介質生長
3．2．8 肖特基柵金屬製備
3．2．9 表面二次鈍化與互連金屬布線
3．3 微波大功率器件
3．3．1 微波大功率器件研究進展
3．3．2 微波功率器件工作電壓提升技術
3．4 毫米波器件
3．4．1 毫米波器件研究背景及發展歷程
3．4．2 毫米波器件柵結構研究
3．4．3 毫米波器件短溝道效應研究
3．5 熱分析與熱設計
……
第4章 微波功率器件新型工藝
第5章 微波功率器件建模
第6章 新型氮化鎵微波功率器件
參考文獻
- ↑ 漲知識：古人用什麼方法傳遞信息？，搜狐，2017-04-03
- ↑ 書究竟有何用？，搜狐，2017-07-18